在微波電路的制作過(guò)程中，引線(xiàn)框架plasma清潔導致電路失效的主要原因是導聯(lián)失效。據統計，大約70%的微波電路產(chǎn)品失效是由引線(xiàn)連接失效引起的。這是因為在微波電路制造過(guò)程中，鍵合區域不可避免地會(huì )受到各種無(wú)機和有機殘留物的污染。如果不處理，直接進(jìn)行鉛焊操作，會(huì )造成虛焊、焊合強度低等問(wèn)題。有些鍵合具有較高的拉伸試驗值，但在拉拔處幾乎沒(méi)有焊點(diǎn)。所有這些都會(huì )導致電路的長(cháng)期可靠性得不到保證。
作為一種具有發(fā)展潛力的等離子清洗干洗方法，引線(xiàn)框架plasma清潔它具有不論物料類(lèi)型，清洗質(zhì)量好，環(huán)境污染小等優(yōu)點(diǎn)。等離子清洗機技術(shù)在微電子封裝中有著(zhù)廣泛的應用，主要用于去除表面污染物和表面蝕刻等，工藝的選擇取決于后續工藝對材料表面的要求、材料表面的原始特性、化學(xué)成分和表面污染特性。將等離子體清洗技術(shù)引入微電子封裝可以顯著(zhù)提高封裝質(zhì)量和可塑性。但采用不同的工藝，對引線(xiàn)框架的粘結特性、性能有不同的影響的影響有很大的差異。
當射頻功率為200W ~ 600W，引線(xiàn)框架plasma清潔氣體壓力為mT ~ 120mT或140mT ~ 180mT時(shí)，清洗10m25μm直徑的金線(xiàn)引線(xiàn)經(jīng)過(guò)等離子清洗后，平均結合強度在~ 15min內可提高到6.6gf以上。在倒裝芯片封裝中，通過(guò)對芯片和載體的等離子體清洗來(lái)提高表面活性，進(jìn)而進(jìn)行反焊，可以有效地防止或減少空腔，提高附著(zhù)力。
集成電路芯片包還提供轉移遠離芯片和,在某些情況下,一個(gè)引線(xiàn)框chip.2)領(lǐng)域的集成電路芯片制造、真空等離子體設備加工技術(shù)已經(jīng)成為不可替代的成熟的加工技術(shù),無(wú)論在芯片內注入離子源,或晶體涂層,還可以實(shí)現我們的低溫等離子表面處理設備:去除晶體表面的氧化膜。3)當IC芯片含有引線(xiàn)框時(shí)，引線(xiàn)框架plasma清潔機器將芯片上的電連接與引線(xiàn)框上的焊墊連接，然后將引線(xiàn)框焊接到封裝上。
引線(xiàn)框架plasma清潔
解決方案:采用等離子清洗，可以大大提高工件的表面粗糙度和親水性，有利于貼瓦、貼合，同時(shí)節省大量的工作成本，提高效率。原因:芯片被附著(zhù)在基板上，經(jīng)過(guò)高溫固化后，基板上的污染物可能含有顆粒和氧化物等，這些顆粒和氧化物由于物理和化學(xué)反應，使引線(xiàn)與芯片、基片之間的焊接不完整或附著(zhù)力差，導致連接強度不足。解決方法:等離子清洗機清洗可以顯著(zhù)提高連接前導線(xiàn)的表面活性，從而提高結合強度和導線(xiàn)張力均勻性。
使用等離子體清洗技術(shù)，這些分子水平的污染物可以很容易地在生產(chǎn)過(guò)程中被清除，從而顯著(zhù)提高了封裝的可加工性、可靠性和成品率。在芯片和MEMS封裝中，基板、基板和芯片之間存在大量的鉛鍵合。引線(xiàn)鍵合仍然是實(shí)現芯片襯墊與外部引線(xiàn)連接的一種重要方法。如何提高鉛結合強度一直是業(yè)界討論的問(wèn)題。鉛鍵合的質(zhì)量對微電子器件的可靠性有決定性的影響。粘接區必須無(wú)污染物，并具有良好的粘接特性。
例1:O2+ E -→2O- + E - o -+有機質(zhì)→CO2+H2OAs，從反應公式可以看出，氧等離子體的化學(xué)反應可以將非揮發(fā)性有機質(zhì)轉化為揮發(fā)性H2O和CO2。例2:H2+ E-→2H-+ E- h -+非揮發(fā)性金屬氧化物→金屬+ h2o2從反應公式可以看出，氫等離子體可以通過(guò)化學(xué)反應去除金屬表面的氧化層，清潔金屬表面。物理清洗:等離子體清洗以物理反應為主要的表面反應，又稱(chēng)濺射腐蝕(SPE)。
等離子機也可用于橡膠表面處理，采用低溫等離子機對橡膠表面進(jìn)行處理，操作簡(jiǎn)單，處理前后無(wú)有害物質(zhì)，處理效果好(效果好)，效率高，運行成本低。等離子表面清潔劑也可以清潔汽車(chē)零件。本實(shí)用新型專(zhuān)利技術(shù)可以填補汽車(chē)密封條在加工過(guò)程中零件之間的空隙，還可以起到減振、隔熱保溫的作用。在汽車(chē)燈工藝中應用冷膠可獲得低成本、高質(zhì)量的粘接效果。提高了汽車(chē)保險杠涂裝的可靠性和穩定性，大大降低了涂裝不良率。
引線(xiàn)框架plasma清潔
在電子碰撞和電離過(guò)程中，引線(xiàn)框架plasma清潔機器產(chǎn)生了各種離子，如CF3+、CF2+、O2+、O-、F-等。自由基CF3、CF2、O、F在電子碰撞分解過(guò)程中產(chǎn)生。氧等離子體表面處理裝置可以在氣相和二氧化硅表面通過(guò)化學(xué)反應生成CO、CO2、SiF2、SiF4等分子。顆粒濃度和能量分布對蝕刻速率、各向異性指數和等離子體清潔器的選擇性有很大的影響。這些氧等離子體表面處理顆粒的濃度是由一些常見(jiàn)的物理化學(xué)過(guò)程決定的。
