本機還采用旋轉噴涂的方法，晶圓等離子表面清洗設備可配合機械擦洗、高壓、軟噴等可調方式，適用于去離子水的清洗工藝，包括鋸片、晶圓打磨、晶圓拋光、研磨、CVD等，特別適用于晶圓拋光后的清洗。單晶等離子發(fā)生器在應用上與自動(dòng)清洗臺沒(méi)有太大區別。兩者的主要區別是清洗方法和精度要求，以45nm為關(guān)鍵分界點(diǎn)。

在一個(gè)每月生產(chǎn)10萬(wàn)片晶圓的20nm DARM工廠(chǎng)，晶圓等離子體清潔機根據市場(chǎng)對半導體材料的估計，產(chǎn)量下降1%將使利潤每年減少3000萬(wàn)至5000萬(wàn)美元，對邏輯芯片制造商來(lái)說(shuō)，利潤甚至會(huì )減少更多。此外，產(chǎn)量下降將增加制造商本已很高的資本支出。因此，過(guò)程優(yōu)化與控制是半導體材料生產(chǎn)過(guò)程的重中之重，制造商對半導體行業(yè)的需求越來(lái)越高，尤其是清洗過(guò)程。對于20nm以上的區域，清洗工序的數量超過(guò)所有工序的30%。

在晶圓制造、使用氮化硅可以取代硅氧化物,由于其硬度高,可以在晶片表面形成很薄的氮化硅薄膜(已廣泛應用于硅晶片處理,膜厚度單元的描述是,厚度約數萬(wàn)埃及,保護表面，晶圓等離子表面清洗設備避免劃傷，而且其出色的介電強度和抗氧化性也能達到良好的隔離效果。氮化硅的不足之處在于其流動(dòng)性不如氧化物，且難以蝕刻。等離子體刻蝕可以克服刻蝕的困難。等離子體刻蝕原理及應用等離子體蝕刻是通過(guò)化學(xué)或物理作用實(shí)現的，或兩者兼而有之。

使用等離子體清洗機，晶圓等離子表面清洗設備不僅可以完全去除光刻膠等有機物，還可以活化粗晶圓表面，提高晶圓表面的潤濕性，使晶圓表面具有更多的附著(zhù)力。等離子清洗機解決了濕法去除晶圓表面光刻膠反應不準、清洗不徹底、容易引入雜質(zhì)等缺點(diǎn)。等離子體清洗機不需要有機溶劑，對環(huán)境無(wú)污染，屬于低成本的綠色清洗方式。

晶圓等離子表面清洗設備

在封裝過(guò)程中，晶圓鍵合間隙、鍵合強度低、焊料球分層或脫落成為制約封裝可靠性的重要因素，必須有效去除各種污垢，而不破壞表面特性和電學(xué)性能。目前廣泛應用的等離子體清洗方法主要有濕法和干法兩種?？紤]到環(huán)境因素、原材料消耗和未來(lái)發(fā)展趨勢，濕法清洗具有很大的局限性，干洗優(yōu)于濕法清洗。在這些方面，等離子清洗發(fā)展迅速，優(yōu)點(diǎn)明顯。等離子體是電離氣體的集合，如電子、離子、原子、分子或自由基。

這類(lèi)污染物通常會(huì )在晶圓表面形成一層薄膜，阻止清洗液到達晶圓表面，導致晶圓表面清洗不徹底，使得清洗后的金屬雜質(zhì)等污染物仍然完好無(wú)損地存在于晶圓表面。此類(lèi)污染物的去除往往在清洗過(guò)程的第一步進(jìn)行，主要采用硫酸和過(guò)氧化氫等方法。等離子體設備的金屬半導體工藝中常見(jiàn)的金屬雜質(zhì)有鐵、銅、鋁、鉻、鎢、鈦、鈉、鉀、鋰等。

當發(fā)現新產(chǎn)品經(jīng)過(guò)真空等離子體處理，設備抽真空時(shí)間明顯延長(cháng)時(shí)，首先要確認真空等離子清洗機的真空泵以及整個(gè)真空產(chǎn)生系統是否存在問(wèn)題。檢測方法如下:當真空等離子體處理系統的空腔是空的,開(kāi)始抽真空,如果它可以注入到50秒內back-bottom真空,如30 pa,可以大致判斷抽真空能力的真空泵和沒(méi)有空氣泄漏的情況在整個(gè)真空系統。

如果您對等離子表面清洗設備有更多的疑問(wèn)，歡迎咨詢(xún)我們(廣東金來(lái)科技有限公司)

晶圓等離子體清潔機

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