這類(lèi)殘渣的清除常運用有機化學(xué)方式來(lái)進(jìn)行,根據各類(lèi)化學(xué)試劑和化學(xué)物品配置的清潔液與金屬材料離子反應,構成金屬離子的絡(luò )合物,擺脫晶圓表層。二、plasma金屬氧化物 半導體芯片晶圓被暴露在含氧及水的前提條件下表層會(huì )構成自然的空氣氧化層。這層空氣氧化塑料薄膜不僅會(huì )阻礙半導體的很多工藝程序,還涵蓋了某些金屬材料殘渣,在相應前提條件下,兩者會(huì )遷移到晶圓中構成電力學(xué)瑕疵。
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等離子清洗機是利用等離子體發(fā)生器產(chǎn)生低溫等離子體進(jìn)行表面改性的設備。應用高溫對材料或通過(guò)加速電子、離子等方式向材料提供能量，UV打印油墨附著(zhù)力中性材料被電離成大量帶電粒子(電子、離子)和中性粒子混合組成的混合狀態(tài)稱(chēng)為等離子體。等離子體整體上是電中性的，它是除固體、液體和氣體外的第四種物質(zhì)狀態(tài)。等離子體中粒子的能量通常為幾到幾十電子伏，大于高分子材料的鍵能，能完全打破有機大分子的化學(xué)鍵而形成新的鍵。
等離子體在HDI板盲孔清洗時(shí)一般分為三步處理，UV打印油墨附著(zhù)力第一階段用高純的N2產(chǎn)生等離子體，同時(shí)預熱印制板，使高分子材料處于一定的活化態(tài)；第二階段以O2、CF4為原始氣體，混合后產(chǎn)生O、F等離子體，與丙烯酸、PI、FR4、玻璃纖維等反應，達到去鉆污的目的；第三階段采用O2為原始氣體，生成的等離子體與反應殘余物使孔壁清潔。在等離子清洗過(guò)程中，除發(fā)生等離子化學(xué)反應，等離子體還與材料表面發(fā)生物理反應。
2）將等離子體清洗用氣體引入真空室內，uv打印油墨附著(zhù)力不好保持室內壓力穩定。根據清洗材料的不同，可分別使用氧氣、氬氣、氫氣、氮氣、四氟化碳等氣體。3）在真空室內電極與接地裝置之間施加高頻電壓，使氣體被擊穿，通過(guò)輝光放電產(chǎn)生等離子體，使真空室內產(chǎn)生的等離子體完全覆蓋待處理工件，開(kāi)始清洗作業(yè)，清洗處理一般持續幾十秒至幾十分鐘4）清洗后切斷電源，通過(guò)真空泵將氣體和氣化的污物泵出。
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這類(lèi)污染物通常會(huì )在晶圓表面形成有機薄膜，以防止清洗液到達晶圓表面，導致晶圓表面清洗不徹底，使得清洗后的晶圓表面上金屬雜質(zhì)等污染物保持完好。此類(lèi)污染物的去除通常在清潔過(guò)程的一開(kāi)始的步驟進(jìn)行，主要使用硫酸和過(guò)氧化氫。1.3金屬：半導體技術(shù)中常見(jiàn)的金屬雜質(zhì)包括鐵、銅、鋁、鉻、鎢、鈦、鈉、鉀、鋰等。這些雜質(zhì)的來(lái)源主要包括各種容器、管道、化學(xué)試劑以及半導體晶片加工過(guò)程中的各種金屬污染。
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