由于采用電能催化劑，高附著(zhù)力環(huán)氧固化劑提供低溫環(huán)境，同時(shí)安全（safe）和高可靠性，可以杜絕濕法化學(xué)清洗產(chǎn)生的危險和廢液，是環(huán)保的。友好。簡(jiǎn)而言之，等離子清洗技術(shù)結合了等離子物理、等離子化學(xué)和氣固兩相界面反應，有效去除（去除）殘留在材料表面的有機污染物，具有性質(zhì)不受影響，現在被認為是首要的替代傳統的濕法清潔。

可以看出，高附著(zhù)力環(huán)氧固化劑在相同的實(shí)驗條件下，上述十種催化劑與等離子體等離子共通等離子體對甲烷氣體和co2轉化率的影響與單獨等離子體不同（分別為26.7%和20.2%）。NiO/Y-Al2O3與真空等離子體吸塵器聯(lián)用時(shí)，甲烷和co2的轉化率較高（分別為32.6%和34.2%）,而Co2O3/Y-Al2O3和ZnO/Y-Al203的轉化率較低（分別為22.4%和17.6%）,前者分別比后者高10.2%和16.6%。

軔致輻射主要由電子產(chǎn)生，高附著(zhù)力環(huán)氧固化劑因為 DBD 等離子清潔器的電子速度遠高于離子速度。當自由電子通過(guò)陽(yáng)離子附近時(shí)，離子電場(chǎng)的作用阻止電子的慣性運動(dòng)，失去能量并發(fā)射電磁輻射。在這個(gè)過(guò)程中，電子在輻射后是自由的，但動(dòng)能降低了。。DBD等離子體和催化劑聯(lián)合作用的CH4和CO2重整反應：等離子體作用下CO2氧化成CH4的轉化反應主要由自由基引發(fā)，目標產(chǎn)物的C2烴選擇性較差。

隨著(zhù)半導體行業(yè)的開(kāi)展，東菀高附著(zhù)力樹(shù)脂銷(xiāo)售電話(huà)芯片線(xiàn)寬不斷縮小，硅片尺度不斷擴大。芯片線(xiàn)寬現已從 130nm、90nm、65nm 逐步開(kāi)展到 45nm、28nm、14nm，并實(shí)現了 7nm 先進(jìn)制程的技能水平，同時(shí)硅片現已從 4 英寸、6 英寸、8 英寸開(kāi)展到 12 英寸，未來(lái)向 18 英寸突破。

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就經(jīng)濟可行性而言，低溫等離子體反應裝置本身為單一緊湊的體系結構，就運行成本而言，微觀(guān)上看，由于放電過(guò)程提高了電子溫度和離子溫度只基本保持不變，這種反應體系是保持低溫的，低溫等離子設備不僅能量利用率高，而且使設備維護成本低。。

本發(fā)明涉及真空泵、RF、真空計、定時(shí)器、浮子流量計、綠色電源指示燈、帶燈蜂鳴器、電源調節器、排氣按鈕（帶自鎖）、氣體旋鈕（帶自鎖）、開(kāi)關(guān)島帶自鎖（帶自鎖）、帶自鎖開(kāi)關(guān)等按鈕（帶自鎖）、真空泵按鈕（帶自鎖）、主電源旋鈕開(kāi)關(guān)。按鈕式真空吸塵器的結構和操作方式也發(fā)現了一些缺點(diǎn)。由于觸點(diǎn)之間的布線(xiàn)連接，容易擊穿，可靠性低，維護困難。所有繼電器組件都是獨立的組件。

用常規的濕法清洗，是無(wú)法達到這種表面改性效果（效果）的。對于需要后續產(chǎn)品工藝的公司來(lái)說(shuō)，等離子清洗可以說(shuō)是一個(gè)非常好的方向。。一般來(lái)說(shuō)，等離子滲氮工藝需要3-10毫巴的氣壓。這將在等離子體和襯底之間提供足夠的接觸。對于表面有有效小凹槽、螺紋等復雜形狀的基板，在復雜形狀附近等離子體參數的分布會(huì )發(fā)生變化并改變周?chē)碾妶?chǎng)，從而導致離子濃度和沖擊力的變化。...這片區域?；盍?。

純等離子體作用下正丁烷的主要產(chǎn)物是C2H2，這是由于C-C鍵的鍵能低于C-H鍵的鍵能所致。在大氣等離子體的作用下，c-C鍵優(yōu)先斷裂形成CHx活性物質(zhì)，其進(jìn)一步反應優(yōu)先生成C2H2。。

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