1.清洗電子元件、光學(xué)器件、激光器件、鍍膜基片、芯片。2.清洗光學(xué)鏡片、電子顯微鏡片等多種鏡片和載片。3.移除光學(xué)元件、半導體元件等表面的光阻物質(zhì)。4.清洗ATR元件、各種形狀的人工晶體、天然晶體和寶石。5.清洗半導體元件、印刷線(xiàn)路板。6.清洗生物芯片、微流控芯片。7.清洗沉積凝膠的基片。8.高分子材料表面修飾。9.牙科材料、人造移植物、醫療器械的消毒和殺菌。
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（活）化原子態(tài)氧能迅速將聚酰亞胺膜氧化成揮發(fā)性氣體，貴州rtr型真空等離子設備廠(chǎng)家哪家好由機械泵抽走，從而去除硅塊上的聚酰亞胺膜。電漿去膠的優(yōu)點(diǎn)是去膠操作簡(jiǎn)單，去膠效率高，表層清潔，無(wú)劃痕，成本低，環(huán)保。 等離子去膠機通常選用電容耦合等離子體平行面板反應釜。在平行面電極反應釜中，反應離子腐蝕腔選用陰極面積小、陽(yáng)極面積大的不對稱(chēng)設計，腐蝕性物質(zhì)被放置在面積小的電極上。
影響引線(xiàn)鍵合的因素包括封裝設計、引線(xiàn)布局、引線(xiàn)材料與尺寸、模塑料屬性、引線(xiàn)鍵合工藝和封裝工藝等。影響引線(xiàn)彎曲的引線(xiàn)參數包括引線(xiàn)直徑、引線(xiàn)長(cháng)度、引線(xiàn)斷裂載荷和引線(xiàn)密度等等。底座偏移底座偏移指的是支撐芯片的載體（芯片底座）出現變形和偏移。塑封料導致的底座偏移，貴州rtr型真空等離子設備廠(chǎng)家哪家好上下層模塑腔體內不均勻的塑封料流動(dòng)會(huì )導致底座偏移。影響底座偏移的因素包括塑封料的流動(dòng)性、引線(xiàn)框架的組裝設計以及塑封料和引線(xiàn)框架的材料屬性。
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等離子清洗機的典型主機電源是頻率為13.56 KHz的主機電源，它可以產(chǎn)生高等離子體密度、軟能量和低溫。典型功率1-2千瓦，大功率5千瓦，小功率幾百瓦。功率40kW，小功率幾百千瓦，多功率40KHz，中頻功率40KHz，中頻等離子清洗機主電源，大功率5kW，小功率幾百KHz，多功率40。KHz，中頻功率40KHz，能量柔和，溫度低，功率一般1-2kW，大功率5kW，小功率幾百千瓦，小功率幾百KHz。
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