當Vs>Vp時(shí),陰極電泳底漆附著(zhù)力電極附近的電場(chǎng)吸引電子而排斥陽(yáng)離子,因此電子密度高于離子密度,在電極附近形成電子空間電荷層。這被稱(chēng)為電子。鞘。此時(shí),流向電極的電子增加,如上圖所示。反之,形成稱(chēng)為離子鞘的正離子空間電荷層。此時(shí),流過(guò)電極的離子電流增加,如下圖所示。對于放電等離子體,靠近陰極的離子鞘層通常更為重要。。等離子清洗機可以對材料表面進(jìn)行表面清洗、表面活化和表面蝕刻。

陰極電泳底漆附著(zhù)力

  在進(jìn)行等離子刻蝕操作時(shí),陰極電泳底漆附著(zhù)力其射頻電源所產(chǎn)生的熱運動(dòng)會(huì )使質(zhì)量小、運動(dòng)速度快的帶負電自由電子很快抵達陰極,而正離子則是由于質(zhì)量大、速度慢而很難在同一時(shí)刻到達陰極,然后就會(huì )在陰極附近構成帶負電的鞘層,正離子在這個(gè)鞘層的加快之下,就會(huì )筆直的轟擊在硅片的表面,然后使得表面的化學(xué)反應加快,而且會(huì )使得反應生成物脫離,因而其刻蝕速度極快,離子的轟擊也會(huì )使各向異性刻蝕得以實(shí)現。

在低溫等離子表面處理機射頻電源所產(chǎn)生的熱運動(dòng)作用下帶負電的自由電子因質(zhì)量小、運動(dòng)速度快,陰極電泳底漆附著(zhù)力很快到達陰極;而正離子則由于質(zhì)量大,速度慢不能在相同的時(shí)間內到達陰極, 從而使陰極附近形成了帶負電的鞘層。低溫等離子表面處理機正離子在鞘層的加速下,垂直轟擊硅片表面,加快表面的化學(xué)反應及反應生成物的脫離,導致很高的刻蝕速率。

在射頻電源所產(chǎn)生的熱運動(dòng)作用下帶負電的自由電子因質(zhì)量小、運動(dòng)速度快,陰極電泳底漆附著(zhù)力很快到達陰極;而正離子則由于質(zhì)量大,速度慢不能在相同的時(shí)間內到達陰極, 從而使陰極附近形成了帶負電的鞘層。正離子在鞘層的加速下,垂直轟擊硅片表面,加快表面的化學(xué)反應及反應生成物的脫離,導致很高的刻蝕速率。離子轟擊也使各向異性刻蝕得以實(shí)現等離子體去膠的原理和等離子體刻蝕的原理是一致的。不同的是反應氣體的種類(lèi)和等離子體的激發(fā)方式。

陰極電泳底漆附著(zhù)力

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這是一種新的、非常有誘惑力的、看來(lái)切實(shí)可行的揮發(fā)性有機化合物 VOCs 凈化技術(shù),具有好的發(fā)展前景。以后處理有機廢氣的時(shí)候可以做成高壓電源模塊這樣能增加設備的緊湊性,使用超小型高壓電源也可達到同樣的道理。 五、 脈沖電暈放電 電暈放電是使用曲率半徑很小的電極,并在電極上加高電壓。由于電極的曲率半徑很小,靠近電極區域的電場(chǎng)特別強,電子逸出陰極,發(fā)生非均勻放電。

-在等離子清洗機電弧放電過(guò)程中,在放電電極的電場(chǎng)作用下,電子和陽(yáng)離子向正極移動(dòng),在電極周?chē)纬珊谋M層。由于正離子的漂移速率遠慢于電子的漂移速率,因此耗盡區的電荷密度遠高于電子耗盡區的電荷密度,整個(gè)極間電壓集中在靠近電極的狹窄區域。陰極。在正常的電弧放電中,電極之間的電壓不隨電流變化。這也是電弧放電的一個(gè)重要特點(diǎn)。它基于在線(xiàn)等離子清洗系統的機械系統,是指單獨的等離子清洗,采用全自動(dòng)操作方式。

如果您對等離子表面清洗設備還有其他問(wèn)題,歡迎隨時(shí)聯(lián)系我們(廣東金萊科技有限公司)

4.取2pcs顯示OK的產(chǎn)品,在同一位置裸露的ITO上沾上汗漬(不戴手套,直接戴手指套,約15分鐘后手指套內的汗漬),將其中1pcs進(jìn)行Plasma清洗,然后產(chǎn)品一起通電,觀(guān)察腐蝕狀況(車(chē)間溫度管控范圍:22℃+/-6℃,濕度控制范圍55%+/-15%)。 產(chǎn)品A經(jīng)過(guò)等離子清洗;產(chǎn)品B不進(jìn)行等離子清洗。

陰極電泳涂料附著(zhù)力檢測

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它改變 了薄膜 顆粒的生長(cháng)方式 ,陰極電泳涂料附著(zhù)力檢測類(lèi)似于串聯(lián)密集生長(cháng)和偏壓值上升 。高度過(guò)后 ,顆粒間緊密堆積的現象越來(lái)越顯著(zhù) 。

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