實(shí)驗結果表明，拉拔式附著(zhù)力實(shí)驗大氣等離子體處理過(guò)程中考慮了時(shí)間、功率、氣體流量、氧含量、氦流量和噴嘴高度等參數，導致膜的表面形貌變化明顯，化學(xué)結構變化較小。腐蝕率厚度和溶出度隨時(shí)間逐漸增大，達到最大值后逐漸減小。當氧含量比一定時(shí)，腐蝕速率隨著(zhù)氦/氧混合流量的增加而增加。隨著(zhù)氦流量的增加，腐蝕先增大后減小。腐蝕速率隨功率的增大而增大，隨噴嘴間距的增大而減小。經(jīng)大氣等離子體處理后，織物表面的尺寸破碎，洗滌后樣品表面干凈。

在引入 PLC 之前，拉拔式附著(zhù)力實(shí)驗所有等離子清洗機的控制系統主要基于繼電器控制。繼電器控制通常有兩種控制方式：按鈕控制和觸點(diǎn)控制。按鈕控制是指使用手動(dòng)控制器來(lái)控制電氣設備的電路。而觸點(diǎn)控制則使用繼電器進(jìn)行邏輯控制，其控制對象既包括電氣設備電路，也包括繼電器本身的線(xiàn)圈。繼電器控制是利用電氣元件中的機械觸點(diǎn)串聯(lián)和并聯(lián)形成邏輯控制電路。實(shí)驗真空等離子清洗機由按鈕操作控制。

上述研究結果表明：在一定等離子體發(fā)生器條件下，膠帶拉拔式附著(zhù)力檢測視頻為獲得較高的C2烴收率及合適的H2/CO比值，應選擇較低CO2加入量。在本實(shí)驗條件下，其值應在20%～35%。C2烴分布隨著(zhù)體系內CO2濃度增加，C2H2的摩爾分數隨之降低；而C2H6、C2H4的摩爾分數則呈現不斷上升態(tài)勢。

擠壓材料 該設備將前座擠壓到裝卸轉移系統中。 (B)裝卸料傳動(dòng)系統通過(guò)壓輥和皮帶傳動(dòng)將物料輸送到換料通道的較高平臺，膠帶拉拔式附著(zhù)力檢測視頻并通過(guò)供料系統放置物料。 (C) 連接材料的通道被傳輸到等離子體反應室的底部，真空室被關(guān)閉并通過(guò)改進(jìn)的系統泵送以進(jìn)行等離子體清潔。當高臺移動(dòng)到清掃位置時(shí)，低臺移動(dòng)到第二層收料的接收位置。高臺清洗后與低臺通訊，低臺等離子清洗，高臺返回接收位置。

膠帶拉拔式附著(zhù)力檢測視頻

如果您對等離子表面清洗設備還有其他問(wèn)題，歡迎隨時(shí)聯(lián)系我們（廣東金萊科技有限公司）

等離子處理設備主要包括預真空室、刻蝕腔、供氣系統和真空系統四部分。等離子處理設備的工作原理是化學(xué)過(guò)程和物理過(guò)程共同作用的結果。

（5）微波放電：微波放電是將微波能量轉化為氣體分子的內能，使之激發(fā)、電離以發(fā)生等離子體的一種氣體放電形式。微波放電的電離度高，氣體具有更高的活化程度，因而能在更低溫度下獲得和維持具有更高能量的等離子體，更適合對溫度敏感材料如有機薄膜的處理，但設備造價(jià)較高。

在全球市場(chǎng)份額方面，2008年行業(yè)引入45nm節點(diǎn)后，單片晶圓清洗設備超越自動(dòng)清洗設備成為最主導的清洗設備。據ITRS稱(chēng)，45nm工藝節點(diǎn)的量產(chǎn)始于2007年和2008年。此時(shí)松下、英特爾、IBM、三星等開(kāi)始45nm量產(chǎn)。2008年底，中芯國際獲得了IBM的批量生產(chǎn)45納米工藝的許可，成為中國第一家轉向45納米工藝的半導體公司。

拉拔式附著(zhù)力實(shí)驗