在目前ITO玻璃清洗工藝、COG-LCD生產(chǎn)工藝的應用中，cob等離子體除膠設備大家都在嘗試使用各種清洗劑(酒精清洗劑、超聲波清洗劑)來(lái)清洗玻璃，但是清洗劑的引入會(huì )引起其他相關(guān)問(wèn)題。因此，探索新的清洗方法成為各廠(chǎng)家努力的方向。采用COGLCD等離子清洗機逐步清洗ITO玻璃表面是一種有效的清洗方法。

反應產(chǎn)物主要是活性物質(zhì)在同分異構體的催化作用下在第三體表面重新組合而成，cob等離子體表面清洗即CHx在第三體表面重新組合而成C2碳氫化合物，CO是二氧化碳直接分解或C與O(含氧)活性物質(zhì)在第三體表面重組而成。顯然，催化劑對反應體系中各種自由基的吸附能力以及吸附位置是否合適都會(huì )影響C2烴類(lèi)和co的產(chǎn)率。對于Na2WO4/Y-Al203催化劑，C2烴類(lèi)的產(chǎn)率遠遠高于其他催化劑。

防水涂料處理后常用的產(chǎn)品是CO2和H2O，cob等離子體表面清洗不污染環(huán)境，在非常潔凈的環(huán)境下工作。等離子體清洗是目前最理想的樣品處理技術(shù)。其優(yōu)點(diǎn)是處理后無(wú)殘留，可以防止樣品在未來(lái)使用中形成污垢，在敏感膜微分析中不形成吸收層，在高增長(cháng)率下獲得更好的數據，真實(shí)的表面成像和表面成分分析，成本低，操作方便，即使樣品表面沒(méi)有形成污垢，也可以觀(guān)察到表面經(jīng)過(guò)等離子體處理后得到優(yōu)化。

雖然提高功率密度可以提高甲烷和CO2的轉化率，cob等離子體表面清洗但有利于甲烷(4.5eV)的c-H鍵斷裂和CO2 (5.45eV)的C-O鍵斷裂，但影響不同。當功率密度低于1500KJ/mol時(shí)，相同實(shí)驗條件下甲烷的轉化率高于CO2，說(shuō)明功率密度較低時(shí)，系統中高能電子的平均能量較低。大部分電子能接近甲烷C-H鍵的平均鍵能，但低于Co2C-O鍵的裂解能，因此甲烷的轉化率高于CO2。

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根據結論分析，我們會(huì )發(fā)現等離子清洗機產(chǎn)生的主要因素有兩個(gè):①等離子清洗機形成的等離子放電會(huì )將酚羥基(-OH)、羧酸羧基(-COOH)、羰基(C=O)等親水基團引入表面層，增加了對原材料表面的侵入，進(jìn)一步提高了基材表面的附著(zhù)力和結合強度。等離子體技術(shù)形成的等離子體清洗機使原材料的分子鍵被打開(kāi),交聯(lián)功能和低分子量污染物被刪除,和原材料的表層形式一個(gè)干凈的和強大的界面層,也可以促進(jìn)改善附著(zhù)力和粘接強度。

熱燃燒法在高溫下惡臭物質(zhì)與燃氣充分混合，完全燃燒適用于高濃度、體積小的可燃氣體的處理，凈化效率高，惡臭物質(zhì)被設備徹底氧化分解腐蝕，油耗大，處理成本高，容易形成二次污染,催化劑poisoningCatalytic combustionWater吸收的方法利用特征氣味的一些物質(zhì)溶于水,所以氣味組件直接與水接觸,以便溶于水達到除臭的目的水溶性,有組織的惡臭氣體排放源工藝簡(jiǎn)單，管理方便，設備運行成本低，產(chǎn)生二次污染，洗滌液需要進(jìn)行處理;凈化效率低，應與其他技術(shù)結合使用，對水溶性物質(zhì)處理效果差。

在這個(gè)過(guò)程中，需要真空泵使某些真正的低壓條件，以滿(mǎn)足清洗要求。今天等離子清洗機廠(chǎng)家來(lái)告訴大家流程是什么。等離子體清洗等離子體清洗所需的等離子體主要是由真空、放電等特殊場(chǎng)合的特定氣體分子產(chǎn)生的，如低壓氣體輝光等離子體。只是說(shuō)開(kāi)始時(shí),等離子體清洗需要在真空狀態(tài)下進(jìn)行,在低壓狀態(tài)下,如果真空意味著(zhù)沒(méi)有等離子體,等離子體清洗將不存在(一般需要保持在Pa),所以需要一個(gè)真空泵抽真空操作。

當選擇稀有氣體進(jìn)行等離子清洗機的表面處理時(shí)，如果處理后的高分子材料本身含有O2，大分子破碎分解后的大分子碎片將進(jìn)入等離子技術(shù)，為等離子體系統提供氧氣的同時(shí)，產(chǎn)生等離子體技術(shù)的效果。如果材料本身不含O2，惰性等離子體清潔技術(shù)處理后空氣中的新自由基和O2也會(huì )導致O2與高分子鏈結合。結果表明，在處理含氧高分子材料時(shí)，惰性氣體等離子體技術(shù)能產(chǎn)生交聯(lián)腐蝕和引入極性基團。

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