通常情況下，氫氧化鈉刻蝕二氧化硅模板的條件氫氣作為放電氣體參與反應引起還原反應，如清洗金屬表面的氧化物，材料表面的氧化物與放電產(chǎn)生的氫離子發(fā)生反應。水。氧氣主要利用其氧化作用去除零件表面的有機物。以氧氣為氣體進(jìn)行反應，發(fā)生氧化反應，氧氣電離產(chǎn)生的氧離子將材料表面的有機物氧化，生成二氧化碳和水。非反應性氣體電離后，離子的物理作用主要用于去除污染物。在清潔過(guò)程中，一些氣體還會(huì )改變材料的表面特性。例如，氮等離子體可以提高金屬材料的硬度和耐磨性。

在電場(chǎng)的作用下，二氧化硅蝕刻機等離子體高速運動(dòng)并與物體表面發(fā)生物理碰撞。能量等離子體的量足以去除各種污染物。同時(shí)，氧離子可以將有機污染物氧化成二氧化碳和水蒸氣，可以排出機艙。等離子清洗不需要其他原料，使用方便，干凈，只要空氣、氧氣、氫氣、氮氣等氣體滿(mǎn)足要求，就比其他清洗機有很多優(yōu)點(diǎn)。 ..等離子不僅可以清潔表面，還可以提高表面的活性。等離子體與物體表面之間的化學(xué)反應產(chǎn)生活性化學(xué)基團。

清洗和蝕刻：例如使用等離子清洗機清洗時(shí)，二氧化硅蝕刻機工作氣體通常是氧氣，經(jīng)過(guò)加速電子的沖擊，變成氧離子和自由基，使其具有高度的氧化性。零件表面的油脂、助焊劑、感光膜、脫模劑、沖頭油等污染物迅速氧化成二氧化碳和水，由真空泵排出，對表面進(jìn)行清潔，變濕，附著(zhù)力提高。 .. ..材料表面的低溫等離子處理不影響材料本體的性能。

注意：不要使用手工拋光、砂紙、研磨劑、噴砂或其他機械清潔。氫氧化鈉溶液與鋁劇烈反應。應注意僅在規定時(shí)間內清除沉積物。在反應過(guò)程中，氫氧化鈉刻蝕二氧化硅模板的條件產(chǎn)生的氫氣會(huì )爆炸。因此，工作區域必須通風(fēng)良好。電極清洗程序： (1) 將真空箱內的沸水取出，打開(kāi)電源，關(guān)閉電源，取下接地電極。 （注意各電極的初始位置，以便清洗后安裝在同一位置。） （2）保護冰水機進(jìn)出口，取出常溫電極，浸泡。在 10% 氫氧化鈉溶液中。

二氧化硅蝕刻機

射頻驅動(dòng)低壓等離子清洗技術(shù)是一種有效且低成本的清洗方法，氟化物、氫氧化鎳、有機溶劑殘留物、環(huán)氧樹(shù)脂溢出物、材料氧化層、等離子清洗和鍵合等現有污染物顯著(zhù)提高了鍵合強度和鍵合線(xiàn)張力。均勻性是引線(xiàn)鍵合。在引線(xiàn)鍵合之前，氣體等離子技術(shù)可用于清潔芯片觸點(diǎn)，以提高鍵合強度和良率。表 3 顯示了一個(gè)改進(jìn)的抗拉強度比較的例子。使用氧氣和氬氣的等離子清洗工藝可以保持較高的工藝。承載力指標CPK值同時(shí)，能有效提高抗拉強度。

電極和托盤(pán)需要根據附件的數量進(jìn)行翻新和維護，以確保穩定的清潔。洗滌劑要求：氫氧化鈉、硫酸、自來(lái)水、蒸餾水。注意：請勿使用機械方法，例如手磨機、砂紙或拋光噴砂。氫氧化鈉溶液與鋁發(fā)生劇烈反應，因此必須注意在所需時(shí)間內清除沉積物。工作時(shí)會(huì )產(chǎn)生可能引起反應爆炸的氫氣。由于它是一個(gè)區域，因此工作區域需要通風(fēng)良好。真空泵保養 檢查真空泵油位和油純度，觀(guān)察油位窗口，確保油位接近最小紅線(xiàn)刻度，在上下紅線(xiàn)之間加油。

耗材及節電 1、關(guān)鍵技術(shù)參數 A、供電電壓：220 V50 HZB。產(chǎn)氣純度：99.995% C. 輸出流量；。輸出壓力：0.4MPA（如需特殊壓力，請通知廠(chǎng)家說(shuō)明） E.最大功率：250WF。環(huán)境溫度：0-40°C 相對濕度<85% G.環(huán)境條件：無(wú)大量灰塵或腐蝕的氣體H.尺寸：520 x 280 x 400 MM (L x W x H) I.毛重：約13 KGII。

涂層的硬度即使在高溫下長(cháng)時(shí)間也不會(huì )發(fā)生變化，在相同的工作條件下摩擦系數從0.110下降到0.089并顯著(zhù)增加。噴涂鋁涂層是目前理想的活塞環(huán)涂層，因為它在潤滑條件下具有優(yōu)異的抗咬合性，并能承受瞬間的高溫摩擦。四、等離子噴涂其他涂層的應用： 1.耐熱涂料耐熱涂料廣泛應用于高溫工程，如高溫抗氧化、高溫隔熱等。氧化鋁通常用作廣泛使用的耐熱涂層。航空發(fā)動(dòng)機、燃氣輪機等高溫工作的零部件表面起絕緣作用。

二氧化硅蝕刻機

十多年來(lái)，二氧化硅蝕刻機各種改進(jìn)的等離子體成束操作已在托卡馬克裝置的各種設計中實(shí)施，以形成內部和邊界傳輸屏障，并創(chuàng )建特定區域和傳輸通道（主要是離子熱傳輸）。假設。聚變三元產(chǎn)物已經(jīng)達到或接近氘氚熱核聚變反應的條件，與氘氚聚變的點(diǎn)火條件相差不到一個(gè)數量級，說(shuō)明燃燒等離子體物理學(xué)已經(jīng)發(fā)展起來(lái)。聚變反應堆綜合技能研討會(huì )的條件。國際熱核試驗堆（ITER）將成為未來(lái)這項研究的重要試驗設施。