氬氦特性穩定，氬氣等離子刻蝕放電電壓低（氬原子的電離能E為15.57EV），AR+易形成半穩態(tài)原子，撞擊污物，由泵排出. 真空泵，形成揮發(fā)性污漬，避免了表面材料的反應。另一方面，使用氬氣時(shí)，易形成半穩定原子，與氧或氫分子碰撞時(shí)，發(fā)生電荷轉換和再生。它結合形成氧氣。作用于物體表面的氫活性原子。

這種情況下的等離子處理有以下效果： 3.11 表面有機層灰化-表面受到化學(xué)沖擊-污染物在真空和臨時(shí)高溫條件下部分蒸發(fā)-污染物被高能離子的影響破壞真空去除-紫外線(xiàn)輻射破壞污染污染層不應太厚了，氬氣等離子刻蝕因為真空處理只能滲透到每秒幾納米的厚度。指紋也可以。 3.12 氧化物去除金屬氧化物與處理氣體發(fā)生化學(xué)反應。這個(gè)過(guò)程需要使用氫氣或氫氣和氬氣的混合物。也可以使用兩步處理過(guò)程。

第一步是用氧氣氧化表面5分鐘，氬氣等離子刻蝕原理第二步使用氫氣和氬氣的混合物去除氧化層。也可以重復使用和處理多種氣體。 3.13 焊接印刷電路板通常在焊接前用化學(xué)助焊劑處理。焊接后必須用等離子法去除。否則會(huì )出現腐蝕等問(wèn)題。 3.14 電鍍、粘合和焊接操作的殘留物經(jīng)常會(huì )削弱粘合的粘合力。這些可以通過(guò)等離子體方法選擇性地去除。共氧化物也會(huì )對粘合質(zhì)量產(chǎn)生不利影響，因此需要等離子清洗。

在真空和瞬間高熱條件下，氬氣等離子刻蝕部分污染物會(huì )揮發(fā)；污染物會(huì )在高效能離子的沖擊下被破壞并被真空去除；紫外線(xiàn)源會(huì )破壞污染物... ⒉等離子清洗機中的氧化性物質(zhì)被去除，氧化物被處理后的混合氣體發(fā)生化學(xué)變化。這種處理需要使用氫氣或氬氣混合物。也可以使用兩步法。第一步是用氧氣氧化反應表面層5分鐘，第二步是用氫氣和氬氣的混合物去除氧化反應層。也可同時(shí)處理多種混合氣體。

氬氣等離子刻蝕

模式 2. 氧化物的還原 金屬氧化物與工藝氣體發(fā)生化學(xué)反應。氫氣和氬氣或氮氣的混合物用作工藝氣體。由于等離子射流的熱效應，可能會(huì )發(fā)生進(jìn)一步的氧化。因此，建議在惰性氣體環(huán)境中處理。

金屬氧化物反應性氣體的氧化去除該過(guò)程使用氫氣或氬氣和氫氣的混合物。使用兩步過(guò)程。第一步是用氧氣氧化表面，第二步是用氫氣和氬氣的混合物去除氧化層。它也可以用各種氣體處理。焊接 通常，印刷電路板經(jīng)過(guò)化學(xué)助焊劑處理。這些化學(xué)物質(zhì)在焊接后需要等離子去除。否則會(huì )出現腐蝕問(wèn)題。良好的鍵耦合往往會(huì )削弱電鍍、鍵合和焊接操作，并且可以通過(guò)等離子方法選擇性地去除。同時(shí)，氧化層的結合質(zhì)量也是不利的。

等離子清洗機可用于輕松去除分子級制造過(guò)程中形成的污染物，并確保原子粘附在工件表面。這有效地提高了鍵合強度，提高了晶片的鍵合質(zhì)量，減少了泄漏。提高封裝性能、良率和組件可靠性。微電子封裝中等離子清洗工藝的選擇取決于后續工藝對材料表面的要求、材料表面原有特性的化學(xué)成分以及污染物的性質(zhì)。常用于等離子清洗氣體，如氬氣、氧氣、氫氣、四氟化碳及其混合物。工作臺和等離子清洗技術(shù)應用的選擇。

微電子封裝中等離子清洗工藝的選擇取決于后續工藝對材料表面的要求、材料表面原有特性的化學(xué)成分以及底漆的性能。常用于等離子清洗氣體，如氬氣、氧氣、氫氣、四氟化碳及其混合物。等離子清洗技術(shù)應用選擇。小銀膠村底：污染物使膠體銀呈球形，不促進(jìn)芯片粘附，更容易刺穿芯片。高頻等離子清洗可用于顯著(zhù)改善表面粗糙度和親水性。銀膠體和貼瓦片的用量，同時(shí)使用銀膠的用量，可以節省銀膠，降低（低）成本。

氬氣等離子刻蝕設備

將其置于真空室中（氧氣、氫氣、氬氣、氮氣等氣體因清洗劑而異），氬氣等離子刻蝕設備壓力保持在 100 PA 左右，在它們之間施加高頻電壓。真空室中的電極和接地裝置分解氣體并使其通過(guò)輝光。光的放電使氣體電離并產(chǎn)生等離子體。在真空室內產(chǎn)生的等離子體完全覆蓋待清洗工件后，開(kāi)始清洗操作，清洗過(guò)程持續幾十秒到幾分鐘。下面詳細介紹使用等離子清洗機時(shí)應注意的事項。 1、等離子清洗機啟動(dòng)前，需要做好一切準備工作。