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等離子體蝕刻對PID的影響:等離子體誘導損傷(Plasmae Induced Damage, PID)是指在IC制造過(guò)程中，對pe基材的附著(zhù)力各種等離子體工藝引起的MOSFET性能偏差。在等離子體環(huán)境中，放電產(chǎn)生大量的離子和電子，離子由于電極電位或等離子體自偏置而加速向晶圓表面移動(dòng)，對襯底進(jìn)行物理轟擊，促進(jìn)表面的化學(xué)反應。

由此可見(jiàn), 低溫等離子體的能量高于這些化學(xué)鍵的能量, 足以使PTFE表面的分子鍵斷裂, 發(fā)生刻蝕、交聯(lián)、接枝等一系列物理化學(xué)反應。 在低溫等離子體表面處理過(guò)程中, 利用各種非聚合性氣體 (Ar、He、O2、N2、H2O、空氣等) 放電, 產(chǎn)生相應等離子體對PTFE表面進(jìn)行活化和功能化是目前的研究熱點(diǎn)。 按是否參加材料表面的化學(xué)反應, 等離子氣體可分為反應性氣體和非反應性氣體。

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總的來(lái)說(shuō)，整個(gè)過(guò)程就是氣體不斷電離和不斷復合的過(guò)程，其目的是保證整個(gè)反應的不斷進(jìn)行，從而使PI表面粗糙化，對PI表面進(jìn)行改性來(lái)實(shí)現。帶FPC在B組裝過(guò)程中，需要在PI覆蓋膜上貼附增強材料，以提高增強材料與PI之間的粘合強度。如果加強面不能加工，需要對PI面進(jìn)行粗化以保證可靠性。要求。要求。使用等離子清洗機處理 PI 表面具有以下特點(diǎn)： (1)等離子清洗后的PI表面已經(jīng)非常干燥，不需要進(jìn)一步的干燥過(guò)程。

在FPCB組裝過(guò)程中，會(huì )在PI覆蓋膜上組裝補強層，這需要提高補強層與PI之間的結合力，并對面層進(jìn)行補強當無(wú)法加工時(shí)，應對PI表面層進(jìn)行粗化和修改，以滿(mǎn)足可靠性的最終要求。

是物質(zhì)的第四種狀態(tài)。一般來(lái)說(shuō)，人們普遍認為物質(zhì)有三種狀態(tài)：固體、液體和氣體。這三種狀態(tài)之間的區別取決于物質(zhì)中所含能量的大小。氣態(tài)是物質(zhì)三種狀態(tài)中能量最高的狀態(tài)。給氣態(tài)物質(zhì)更多的能量，比如加熱，就會(huì )形成等離子體。當它們達到等離子體狀態(tài)時(shí)，氣態(tài)分子分裂成許多高活性粒子。這些裂變不是永久性的。一旦用于形成等離子體的能量消失，各種粒子就會(huì )重新組合形成原來(lái)的氣體分子。

這兩種電介質(zhì)的化學(xué)鍵能非常高，通常需要使用由碳氟化合物氣體（CF4、C4F8 等）產(chǎn)生的高反應性氟等離子體對它們進(jìn)行蝕刻。上述氣體產(chǎn)生的等離子體的化學(xué)性質(zhì)非常復雜，往往會(huì )在基材表面形成聚合物沉積物，通常使用高能離子來(lái)去除上述沉積物。。無(wú)論是等離子清洗技術(shù)的發(fā)展，還是微電子技術(shù)的發(fā)展，都意味著(zhù)時(shí)代在不斷發(fā)展，追求更好的品質(zhì)。

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工作壓力對等離子清洗效果的干擾：工作壓力是等離子清洗的重要參數之一。壓力的增加意味著(zhù)等離子體密度的增加和平均粒子能量的降低。以化學(xué)反應為主的等離子密度的增加可以顯著(zhù)提高等離子系統的清洗速度，對pe基材的附著(zhù)力但以物理影響為主的等離子清洗系統的效果尚不清楚。此外，壓力的變化可能會(huì )改變等離子清洗反應的機理。比如硅片刻蝕工藝中使用的CF4/O2等離子在低壓下起主導作用，隨著(zhù)壓力的升高，化學(xué)刻蝕不斷加強，逐漸起主導作用。

這些細線(xiàn)的生產(chǎn)和組裝的電子產(chǎn)品、ITO玻璃表面的清潔度要求很高,產(chǎn)品需求可以良好的焊接性能、焊接牢固,不能有任何的有機和無(wú)機物質(zhì)殘留在ITO玻璃塊ITO電極終端和集成電路連接的腫塊,因此，對pe基材的附著(zhù)力樹(shù)脂對ITO玻璃的清洗是很重要的。