缺點(diǎn)：對表面產(chǎn)生了很大的損害，表面附著(zhù)力檢測儀會(huì )產(chǎn)生很大的熱效應，對被清洗表面的各種不同物質(zhì)選擇性差，腐蝕速度較低。典型的等離子體物理清洗工藝是氬氣等離子體清洗。  化學(xué)反應機制是各種活性的粒子和污染物反應生成易揮發(fā)性的物質(zhì)，再由真空泵吸走揮發(fā)性的物質(zhì)。  化學(xué)反應為主的等離子體清洗的優(yōu)點(diǎn)：清洗速度較高、選擇性好、對清除有機污染物比較有效，缺點(diǎn)：表面產(chǎn)生氧化物。

大家都知道半導體封裝工藝的好壞直接影響到電子產(chǎn)品的成品率和良品率，環(huán)氧樹(shù)脂在電鍍表面附著(zhù)力但是在封裝工藝的整個(gè)環(huán)節中會(huì )出現不同程度的污染，那想要不破壞芯片表面材料特性和導電特性的前提下對污染物進(jìn)行去除的話(huà)，最合適的話(huà)就是干式清洗法--等離子體清洗。

等離子清洗還具有以下特點(diǎn):數控技術(shù)使用方便，環(huán)氧樹(shù)脂在電鍍表面附著(zhù)力自動(dòng)化程度高;控制設備精度高，時(shí)間控制好;正確清洗等離子體不會(huì )對表面產(chǎn)生損傷層，保證表面質(zhì)量;不污染環(huán)境，確保清洗表面不受二次污染。1、常規的清洗方法不能完全去除材料表面的薄膜，只留下一層很薄的雜質(zhì)，而溶劑清洗是這種類(lèi)型的典型。2、使用大氣等離子體清洗機，要用等離子體轟擊材料表面，以溫和徹底的方式清洗表面。

　　1.4 氧化物 　　半導體圓片暴露在含氧氣及水的環(huán)境下外表會(huì )構成天然氧化層。這層氧化薄膜不但會(huì )妨礙半導體制作的許多工步,還包含了某些金屬雜質(zhì),在一定條件下,它們會(huì )轉移到圓片中構成電學(xué)缺點(diǎn)。這層氧化薄膜的去除常選用稀氫氟酸浸泡完結。 　　等離子清洗機在半導體晶圓清洗工藝上的應用 　　等離子體清洗具有工藝簡(jiǎn)單、操作便利、沒(méi)有廢料處理和環(huán)境污染等問(wèn)題。但它不能去除碳和其它非揮發(fā)性金屬或金屬氧化物雜質(zhì)。

表面附著(zhù)力檢測儀

氣體流量一般對VDC沒(méi)有較大影響，可是假如用混合氣體，當氣體的相對流量增加時(shí)，VDC單調的增加，一般，當加入弱電負性氣體時(shí)，負偏壓將會(huì )急劇增加。關(guān)于電負性氣體放電，小的流量改變對VDC影響也不大。2.1.2.2氣壓氣壓也影響VDC，高氣壓，更多的分子、原子與電子磕碰，發(fā)生新的電子和離子，因而經(jīng)過(guò)提高氣壓，增加更多的自由電子，提高了負偏壓。

該技術(shù)在半導體制造領(lǐng)域應用較早，是一種必不可少的半導體制造工藝。因此，在IC加工中是一項長(cháng)期而成熟的技術(shù)。因為暈等離子處理機產(chǎn)生的等離子體是一種高能、高活性的物質(zhì)，對（任）何有（機）材料等都有很好的蝕刻（效）果，電暈等離子處理機產(chǎn)生的等離子體的制作是干法處理的，不會(huì )造成污染，所以近年來(lái)已經(jīng)被大量應用于半導體產(chǎn)品的制作。

等離子體清洗設備是通過(guò)化學(xué)或物理作用對工件(生產(chǎn)過(guò)程中的電子元器件及半成品、零件、基板、印刷電路板)表面進(jìn)行處理，從而在分子水平(一般厚度為3nm致30nm)去除污漬和污跡。提高表面活性的過(guò)程稱(chēng)為等離子清洗。

電暈等離子體處理器技術(shù)是一種新型的半導體制造技術(shù)。該技術(shù)應用于半導體制造領(lǐng)域較早，是半導體制造過(guò)程中必不可少的一種工藝。因此，在IC處理中是一項長(cháng)期而成熟的技術(shù)。

環(huán)氧樹(shù)脂在電鍍表面附著(zhù)力