1.4 氧化物 半導體圓片暴露在含氧氣及水的環(huán)境下外表會(huì )構成天然氧化層。這層氧化薄膜不但會(huì )妨礙半導體制作的許多工步,還包含了某些金屬雜質(zhì),在一定條件下,它們會(huì )轉移到圓片中構成電學(xué)缺點(diǎn)。這層氧化薄膜的去除常選用稀氫氟酸浸泡完結。 等離子清洗機在半導體晶圓清洗工藝上的應用 等離子體清洗具有工藝簡(jiǎn)單、操作便利、沒(méi)有廢料處理和環(huán)境污染等問(wèn)題。但它不能去除碳和其它非揮發(fā)性金屬或金屬氧化物雜質(zhì)。
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用等離子體進(jìn)行物理清洗不會(huì )產(chǎn)生氧化副作用，龍巖等離子清洗機裝置分子泵價(jià)格表保持被清洗物體的化學(xué)純度，并具有各向異性腐蝕作用。 3.3 反應離子腐蝕化學(xué)清洗和物理清洗各有優(yōu)缺點(diǎn)。當這兩種機制在反應離子腐蝕中結合起來(lái)時(shí)，物理和化學(xué)反應都起著(zhù)重要作用，并相互促進(jìn)。選擇好、清洗速度快、均勻度好、方向性好。
6、設備組合性強：“低溫等離子體”產(chǎn)品重量輕，龍巖等離子清洗裝置羅茨真空泵定制體積小，可按場(chǎng)地要求立放、臥放，可根據廢氣濃度、流量、成份進(jìn)行串、并組合設計達到完全的廢氣凈化。 7、設備使用壽命長(cháng)：本設備由不銹鋼材，銅材、鉬材、環(huán)氧樹(shù)脂等材料組成，抗氧化性強，對酸、堿氣體、潮濕環(huán)境等具有良好的防腐性能。使用壽命長(cháng)達15年以上。
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當能量密度超過(guò)0 kJ/mol時(shí)，CH4轉化率和C2烴產(chǎn)率隨著(zhù)增加而迅速增加。能量密度慢。在這個(gè)反應中，能量密度的增加并不意味著(zhù)能量效率的提高，而是呈下降趨勢。因此，從能源效率的角度來(lái)看，您需要選擇合適的能量密度。 N2添加對等離子體中CH轉化反應的影響：隨著(zhù)供氣中N2濃度的增加，CH4轉化率增加，說(shuō)明惰性氣體中有N2。對 CH4 轉換很有用。
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