在頂部,吉林在線(xiàn)式等離子清洗機廠(chǎng)家如果偏移側壁的厚度不足以保護多晶硅,在隨后的硅鍺外延生長(cháng)中,硅鍺外延可以在多晶硅頂部生長(cháng),形成缺陷,導致器件失效。會(huì )更高。當多晶硅的極限尺寸小于硬的。使用掩模膜可以大大降低出現此類(lèi)缺陷的可能性,從而提高產(chǎn)量。同樣,如果多晶硅在刻蝕后出現嚴重的底部長(cháng)腿,那么在PSR刻蝕中底部偏移的側壁間隔也會(huì )消耗更多,后續的硅鍺外延會(huì )在多晶硅底部生長(cháng)。硅鍺缺陷。
用于硅研究的等離子等離子處理 等離子蝕刻 用于硅研究的等離子等離子處理 等離子蝕刻:硅蝕刻技術(shù)廣泛用于微電子技術(shù)。例如,吉林在線(xiàn)式等離子清洗機廠(chǎng)家高密度 DRAMIC 制造 MEMS 中的器件隔離溝槽或垂直電容器。目前,蝕刻單晶硅主要有兩種方法。一種是濕法。濕法蝕刻方法有其自身的局限性,例如使用大量有毒化學(xué)物質(zhì),并且操作起來(lái)不夠安全。由于浸沒(méi)導致的橫向滲透和膨脹導致附著(zhù)力差,并且底切會(huì )降低分辨率,這正在逐漸被干法蝕刻所取代。
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疏散達到清掃的目的。微波放電是一種無(wú)電極放電,以防止濺射污染,因此可以以更高的密度獲得均勻純凈的等離子體。適用于高純度物質(zhì)的制備和加工,技術(shù)效率高。由運行控制系統設定技術(shù)參數,控制微波等離子體的強度和密度,綜合各待清洗部位的技術(shù)標準。二、勵磁電源頻率。頻率為 2.45 GHZ 的微波可以通過(guò)適當的窗口進(jìn)入腔體,并在窗口前沒(méi)有對電極的地方產(chǎn)生微波。等離子體。
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