5.等離子體發(fā)生器橡膠A.表面摩擦：減少的密度密封件與O形圈的表面摩擦；B.附著(zhù)力：提高膠粘劑對橡膠的附著(zhù)力。適用于等離子體或化學(xué)蝕刻中離子加速沖擊表面，附著(zhù)力n cm2有選擇地改變表面形貌，以給出更多的粘附點(diǎn)，提高粘附力。6.等離子體發(fā)生器印制電路板(PCB)a.清除孔內的膠水殘留物。鍍金前必須清除孔內的膠水殘留物。

大多數塑料薄膜(如polyhydrocarbon電影)非極性聚合物表面張力較低的28.9 - -29.8 mn /分鐘理論,如果一個(gè)物體的表面張力低于33 mn / m,油墨和粘合劑不知道是牢牢地附著(zhù)在表面,所以應該表面進(jìn)行電暈處理。其加工原理是在加工設備上應用高頻、高壓，附著(zhù)力n cm2使其產(chǎn)生高頻、高壓放電，產(chǎn)生小而密的紫藍色火花。在強電場(chǎng)的作用下，空氣電離子后產(chǎn)生的各種離子加速沖擊處理裝置中的塑料薄膜。

在清潔過(guò)程中，注塑件電鍍件附著(zhù)力ng要清潔的物體可能會(huì )被清洗和損壞。 (5)等離子表面處理設備無(wú)害，因為它可以避免使用三氯乙烷等ODS有害溶劑。這種清潔方法是環(huán)保的，因為它在清潔后會(huì )產(chǎn)生污染物。 (6)等離子表面處理設備簡(jiǎn)單、易于控制、快速、低真空或清洗工藝。等離子表面處理設備一應俱全，無(wú)需大量溶劑，降低成本。綜合以上六點(diǎn)，筆者總結了等離子表面處理設備提高PP、PE材料墨層附著(zhù)力的優(yōu)勢。

常規的清洗方法并不完善，附著(zhù)力n cm2清洗后往往會(huì )殘留一層薄薄的污染物。但如果采用等離子體活化工藝進(jìn)行清洗，弱化學(xué)鍵很容易被打破，即使污染物殘留在幾何形狀非常復雜的表面，仍然可以去除。等離子體可以去除材料在儲存或早期制造過(guò)程中附著(zhù)在材料表面的高蒸氣壓揮發(fā)性氣體化學(xué)轉化而形成的油膜、微觀(guān)細菌或其他污染物。注塑助劑、硅基化合物、脫模劑和部分吸附的污染物可通過(guò)等離子體放電進(jìn)行清洗，可有效去除塑料、金屬和陶瓷表面。

附著(zhù)力n cm2

等離子體處理后，TPU與PBT或PC與硅橡膠等兩種材料互不粘附，經(jīng)雙組分注射成型后可牢固粘接在一起。大氣壓等離子體處理設備的特點(diǎn)，如完全在線(xiàn)、易系統集成、加工速度快、加工針對性強等特點(diǎn)，使其能有效地與在線(xiàn)注塑系統協(xié)同工作。在薄膜的表面處理中，等離子體處理可以獲得比電暈處理更高的表面能。它是一種嚴格的單面處理方法，由于處理溫度低，對薄膜的熱效應很小。

對于塑料，通常很難粘合或噴涂非極性表面。表面活化是聚合物分子鏈結構的修飾。彌補塑料。使材料表面更易于加工和處理。大氣中的低溫等離子體表面預處理工藝可與各種后續處理工藝結合使用。最常見(jiàn)的工藝是印刷、粘合、噴涂和雙組分注塑成型。涂布前常壓低溫預處理和等離子表面處理提高溶劑型油墨的耐久性，提高印刷品的質(zhì)量，提高印刷品的耐候性和耐候性，使色彩更加鮮艷，和圖案印刷成為可能。更準確的。

表7.4 EM早期失效模式之間的關(guān)系和兩個(gè)關(guān)鍵方面ratiosThe waferRatio通孔的深度widthSlant深度寬度ratioEarly失敗:對于modevaluelevelvaluelevelholecantW15.6high2.11highThere areW24.84medium2.16highThere: areW34.57low1.96mediumThere是noThere areW44.57low1.75Low noThere noUnder在保持通孔底部尺寸不變的情況下，通過(guò)調整刻蝕工藝，增大通孔斜坡處的開(kāi)口尺寸，呈現平滑的形貌，可以在不帶來(lái)其他副作用的情況下提高向上EM。

其原理是利用高頻高壓電暈放電對被處理塑料表面(高頻交流電壓可達5000-15000V/m2)，并產(chǎn)生低溫等離子體，使塑料表面發(fā)生自由基反應和聚合物交聯(lián)。表面變得粗糙，對極性溶劑的潤濕性增加——這些離子體受到?jīng)_擊滲透到被印體表面，破壞其分子結構，然后氧化、極化待處理表面分子。離子沖擊腐蝕基體表面，增加基體表面的附著(zhù)能力。等離子處理器用于在線(xiàn)加工，可在各種生產(chǎn)線(xiàn)上加工。對象大小沒(méi)有限制。

附著(zhù)力n cm2

電阻蒸發(fā)源按電阻加熱原理加熱蒸發(fā)原料，注塑件電鍍件附著(zhù)力ng加熱溫度高可達1700℃。電子束蒸發(fā)源是通過(guò)加速電子沖擊蒸發(fā)材料進(jìn)行蒸發(fā)的。蒸發(fā)器裝有電子槍?zhuān)ㄟ^(guò)磁場(chǎng)或電場(chǎng)加速電子束的聚集，使其集中在蒸發(fā)物質(zhì)的局部位置，形成加熱束點(diǎn)?，F場(chǎng)溫度達到3000~6000℃，能量密度達到20kW/cm2。在非金屬涂層中，原料氣化溫度和汽化溫度高，會(huì )導致汽化過(guò)程中汽化區溫度高。大量的輻射熱會(huì )使基材吸收過(guò)多的熱能，使溫度升高。

氧等離子活化機理硅-硅直接鍵合工藝研究：作為半導體制造領(lǐng)域的一種封裝與制造技術(shù)，附著(zhù)力n cm2硅-硅直接鍵合技術(shù)(Silicon direct bonding，SDB)發(fā)揮著(zhù)越來(lái)越重要的作用。SDB鍵合可以使經(jīng)過(guò)拋光的半導體晶圓，在不使用粘結劑的情況下結合在一起。。為了解決多層陶瓷外殼電鍍中的鎳起泡問(wèn)題，必須從以前的工序入手，同時(shí)控制預處理工藝和鍍鎳工藝。