隨著(zhù)半導體技術(shù)的不斷發(fā)展，晶圓等離子體蝕刻機對工藝技術(shù)的要求越來(lái)越高，特別是對半導體晶圓的外觀(guān)質(zhì)量要求越來(lái)越嚴格，其主要原因是晶圓片外觀(guān)顆粒和金屬雜質(zhì)的污染會(huì )嚴重影響設備的質(zhì)量和良率，在目前的集成電路生產(chǎn)中，晶圓片外觀(guān)的污染問(wèn)題，仍有50%以上的材料流失。在半導體生產(chǎn)過(guò)程中，幾乎每一道工序都需要清洗，晶圓片清洗質(zhì)量嚴重影響著(zhù)設備的功能。
2)AR是一種罕見(jiàn)的氣體。被電離的離子體不容易與底物發(fā)生化學(xué)變化。適用于等離子清洗基材表面的物理清洗和表面鈍化處理。較大的特點(diǎn)是表面清洗不易引起高精度電子儀器的表面氧化。因此AR等離子清洗機廣泛應用于半導體、微電子、晶圓制造等行業(yè)。等離子體處理器中電離的AR等離子體呈暗紅色。在相同的放電環(huán)境下，晶圓等離子體表面處理氫氣和氮氣的等離子體會(huì )呈現紅色，而AR等離子體的亮度會(huì )低于氮氣，高于氫氣，所以更容易區分。。
環(huán)面帶與結構板之間有2mm的間隙。由于在晶圓和帶的底部沒(méi)有產(chǎn)生或存在等離子體，晶圓等離子體蝕刻機所以在晶圓表面有底部切割和分層結構，沒(méi)有濺射和帶沉積。通過(guò)縮小環(huán)邊緣和底部電極之間的間隙，然后得到2mm或更少的擴展面積，你可以得到二次等離子體，就像其他系統一樣，而不是初級等離子體。持久性涂料提高持久性涂料的附著(zhù)力，通常很難對滿(mǎn)足嚴格環(huán)境要求的某些材料實(shí)施足夠的保護(如TPU)。
這些污染物的去除通常在清洗過(guò)程的第一步進(jìn)行，晶圓等離子體蝕刻機主要采用硫酸和過(guò)氧化氫等方法。3、金屬半導體工藝中常見(jiàn)的金屬雜質(zhì)有鐵、銅、鋁、鉻、鎢、鈦、鈉、鉀、鋰等。這些雜質(zhì)的主要來(lái)源是:各種容器、管道、化學(xué)試劑，以及半導體晶圓加工，在形成金屬互連的同時(shí)，也產(chǎn)生各種金屬污染。這種雜質(zhì)的去除通常是通過(guò)化學(xué)方法進(jìn)行的，通過(guò)各種試劑和化學(xué)品配制的清洗液與金屬離子反應，金屬離子形成絡(luò )合物，脫離晶圓表面。
晶圓等離子體蝕刻機
如果粘接區有污染物，會(huì )嚴重削弱粘接區的粘接性能，金線(xiàn)的粘接區不易焊接。即使焊接，在未來(lái)電路滿(mǎn)負荷運行時(shí)，也會(huì )造成鍵合合金球與芯片之間分層，導致半導體器件的功能失效。目前，污染鍵合區的主要物質(zhì)是氧化物和有機殘留物，這些污染物包括FAB制造過(guò)程中產(chǎn)生的氧化物和氟化物殘留物、長(cháng)期暴露于空氣中的表面氧化物、晶圓裝載過(guò)程中的環(huán)氧膠體污染以及環(huán)氧膠體固化過(guò)程中的有機殘留物。
半導體污染雜質(zhì)和分類(lèi)半導體生產(chǎn)最終需要一些有機和無(wú)機的參與，另外，由于過(guò)程總是在凈化室被人參與，所以半導體晶圓難免受到各種雜質(zhì)的污染。按照污染物的來(lái)源和性質(zhì)，可以大致分為顆粒物、有機物、金屬離子和氧化物。微粒粒子主要是一些聚合物、光阻劑和蝕刻雜質(zhì)。這些污染物主要依靠范德華引力吸附在晶圓表面，并影響光刻過(guò)程中的幾何圖案和電學(xué)參數的組成。
PTFE等離子體孔膜界面粘接性能表面處理:PTFE微孔膜具有穩定的化學(xué)性能，耐高溫、耐腐蝕、耐水、耐稀油、耐高溫、高濕度、高及特殊機中的氣液具有良好的過(guò)濾性能，可廣泛應用于冶金、化工、煤炭、水泥等行業(yè)的除塵過(guò)濾，是一種耐高溫的薄膜材料復合過(guò)濾材料。但由于其極低的表面活性和優(yōu)異的無(wú)粘度性，使其難以與基體復合，從而限制了其應用。
玻璃表面等離子處理設備清洗提高表面親水性由于等離子清洗機是一種“干式”清洗工藝，處理后的材料可以立即進(jìn)入下一步的加工工藝，因此，等離子清洗機是一種穩定高效的工藝。由于等離子體的高能量，可以分解玻璃材料表面的化學(xué)物質(zhì)或有機污染物，并有效去除所有可能干擾附著(zhù)力的雜質(zhì)，提高玻璃的表面能和表面的親水性，使玻璃材料的表面滿(mǎn)足后續工藝所需的理想條件。
晶圓等離子體蝕刻機
等離子體處理器也屬于干洗的方法,與傳統的濕法凈化裝置相比,等離子體處理器有簡(jiǎn)單的過(guò)程,操作簡(jiǎn)單、可控性高、精度高、等,清理表面沒(méi)有宿醉,相比之下,濕洗不干凈會(huì )有任何殘留,如果使用大量溶劑，晶圓等離子體蝕刻機對人體和環(huán)境都是有害的。等離子體清洗機在使用過(guò)程中有兩個(gè)清洗過(guò)程:化學(xué)變化和物理反應。
