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3D時(shí)代刻蝕技術(shù)的創(chuàng )新固然重要，但等離子清洗機刻蝕機的穩定性和缺陷控制能力也很重要，因為這些會(huì )直接影響量產(chǎn)的質(zhì)量和進(jìn)度，尤其是在這個(gè)日新月異的時(shí)代，失去先機就可能失敗。如上所述，EED-I蝕刻技術(shù)的改進(jìn)已經(jīng)在各種機器上商業(yè)化，并在3D半導體產(chǎn)品市場(chǎng)上占有一席之地。EED方向的學(xué)術(shù)改進(jìn)包括串聯(lián)ICP（串聯(lián)）和中性粒子束刻蝕，利用脈沖產(chǎn)生負離子，然后通過(guò)束流能量控制區。但后者的遴選比例是一個(gè)薄弱環(huán)節。
其中，固態(tài)顆粒組合致密，液態(tài)顆粒次之，氣態(tài)顆粒分散。將物質(zhì)轉化為致密分散的聚合物狀態(tài)需要額外的動(dòng)能來(lái)破壞原始粒子之間較大的結合能。同樣，當物質(zhì)處于氣態(tài)時(shí)，日冕等離子體處理器繼續提供動(dòng)能，形成氣態(tài)物質(zhì)粒子電離形成等離子體。。電暈等離子體處理器的歷史發(fā)展:電暈等離子體處理器發(fā)現于1879年，1928年被稱(chēng)為“等離子體”。
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此外，低溫等離子廢氣處理設備還有占地面積??；電子能量高，簡(jiǎn)直能夠和所有的惡臭氣體分子效果；作業(yè)費用低；反響快、停止十分迅速，隨用隨開(kāi)。
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