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等離子清洗機設備蝕刻后硅鍺溝槽界面對西格瑪型溝槽形狀及硅鍺外延生長(cháng)的影響： 眾所周知，等離子清洗機設備硅的干法蝕刻過(guò)程中會(huì )產(chǎn)生大量的高分子副產(chǎn)物。圖形密集區反應總量大，因此副產(chǎn)物容易聚集。在圖形硅片實(shí)驗中，圖形密集區厚重的蝕刻副產(chǎn)物導致深度相比圖形稀疏區淺。這樣的深度差異在TMAH處埋工藝后，會(huì )變得更加明顯，甚至導致無(wú)法形成正常形狀的西格瑪型硅溝槽。
針對IC封裝的引線(xiàn)結構放電、芯片鍵合、塑封的預清洗工藝，大大提高了粘合性能和鍵合強度，避免了長(cháng)時(shí)間接觸引線(xiàn)結構的人為因素造成的二次污染時(shí)間是避免增加。長(cháng)時(shí)間批量清潔型腔會(huì )損壞刀片。對于體積大、搬運不靈活的汽車(chē)零部件，減少搬運環(huán)節，降低人員工作強度。在線(xiàn)等離子清洗機的主要結構包括材料擠壓結構上下料、材料設置和再生通道上下料、正向系統上下料、傳動(dòng)系統上下料、材料去除。包括組織上下料、反應室。
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