這是因為當CO2濃度高時(shí)，GSE200通用型等離子刻蝕機體系中的活性氧過(guò)多，它們與CH4分子相互作用產(chǎn)生氧化產(chǎn)物，并與產(chǎn)生的C2烴產(chǎn)物相互作用轉化C2H6，這是為了促進(jìn)它。將 C2H4 和 C2H2 轉化為氧化產(chǎn)物。 CO 產(chǎn)率隨著(zhù) CO2 濃度的增加而增加，當 CO2 濃度超過(guò) 50% 時(shí)達到一個(gè)恒定值。同時(shí)，隨著(zhù)系統中 CO2 濃度從 15% 增加到 85%，產(chǎn)品中 H2 與 CO 的摩爾比從 3.5 下降到 0.6。

當物質(zhì)從低能聚集態(tài)轉變?yōu)楦吣芫奂瘧B(tài)時(shí)，GSE200通用型等離子刻蝕機能量由外界供給（加熱、電場(chǎng)、輻射等），從固體轉變時(shí)，每個(gè)粒子需要0.01E變成液體或從液體變成氣體V能（1EV=1.6022×10-19焦耳），當氣體從外界吸收更多能量時(shí)，分子的熱運動(dòng)變強，分子解離成原子，充分得到原子中的電子。與電子分離并成為自由電子的能量。氣體被電離，電離氣體中含有大量的電子、離子和一些中性粒子（原子和分子）。

這種結構就是護套層，GSE200通用型等離子刻蝕機可以是上面的電容器。電容器處于放電環(huán)境中，電荷存儲在表面上，從而產(chǎn)生電場(chǎng)。電場(chǎng)必須對應于電壓。由于平衡，也就是這個(gè)電場(chǎng)，和電壓是動(dòng)態(tài)的靜電場(chǎng)，也就是直流電場(chǎng)和直流電壓，就形成了一個(gè)VDC。腔室的內壁接地，形成的偏置場(chǎng)阻擋電子，因此這個(gè) VDC 在接地的內壁上具有負值或負偏置。施加到電極上的負偏壓與射頻電壓一起形成復合電壓，如下圖所示。

同時(shí)，等離子刻蝕設備RIE150這些懸空鍵以 OH 基團的形式存在，從而形成穩定的結構。浸漬（有機）或無(wú)機堿退火后，表面Si-OH鍵脫水并會(huì )聚形成硅-氧鍵。這提高了晶體表面的潤濕性，使晶體成為可能。對于材料的直接鍵合，親水晶片表面在自發(fā)鍵合方面優(yōu)于疏水晶片表面。

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2、組織相容性：組織相容性是指機體組織與異物的相容程度，有兩層含義。一是機體對異物的反應和影響。身體本能地排斥異物。即使無(wú)毒聚合物進(jìn)入體內，也會(huì )排斥異物，引起不同程度和不同時(shí)間的反應。高分子材料的生物接受性的決定性因素首先是高分子材料本身的化學(xué)穩定性，其次是其與生物組織的親和力。此外，要求材料對基材無(wú)不良影響，如引起炎癥、過(guò)敏、致畸反應等。與組織相容性有關(guān)的對象是組織和細胞。

此類(lèi)間隔物也稱(chēng)為氮化硅間隔物或氮化硅/氮化硅（氧化物SIN，ON）間隔物。 0.18M時(shí)代，這個(gè)氮化硅側壁的應力太高了。如果它很大，飽和電流會(huì )降低，泄漏會(huì )增加。為了降低應力，需要將沉積溫度提高到700℃，這增加了量產(chǎn)的熱成本，也增加了泄漏。所以在0.18M時(shí)代，選擇了ONO的側墻。

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