目前國(際)上已經(jīng)投運的GIL工程往往采用降(低)運行電壓提高絕緣裕度的方式保障設備的可靠性，重慶實(shí)驗型真空等離子設備批發(fā)例如日本日立公司與關(guān)西電力公司等聯(lián)合研制的直流±500kV氣體絕緣金屬封閉開(kāi)關(guān)設備（Gas Insulated Switchgear, GIS），在阿南換流站長(cháng)期降壓運行在±250kV，ABB公司采用在交流550kV、800kV GIS元件基礎上研制的直流GIS，其長(cháng)期運行電壓為±500kV。

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目前，重慶實(shí)驗型真空等離子設備公司集成電路生產(chǎn)主要以8英寸和12英寸硅片為主。 12 英寸硅晶片的芯片線(xiàn)寬主要為 45 納米至 7 納米。 12英寸硅片的市場(chǎng)份額從2009年的50%增長(cháng)到2015年。為 78%，預計 2020 年將超過(guò) 84%。蝕刻 12 英寸硅晶片所需的單晶硅材料的尺寸通常超過(guò) 14 英寸。該公司目前占14英寸產(chǎn)品收入的90%以上?？傊?，硅片越大，技術(shù)難度越大，對制造工藝的要求也越高。

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這種電子在電場(chǎng)加速時(shí)獲得了高能，并與周?chē)姆肿踊蛟影l(fā)生碰撞，重新在分子和原子中激發(fā)電子，而這些電子本身處于受激態(tài)或離子態(tài)，此時(shí)物體存在的狀態(tài)就是等離子體。低溫等離子體的國內外分類(lèi)目前主要是熱-低溫等離子體。電離率幾乎達到 %，且電子和離子溫度相同，即為熱平衡低溫等離子。如低溫等離子體、沖壓發(fā)動(dòng)機低溫等離子體、熱控核聚變低溫等。等離子體的電離率很低，電子的溫度遠高于其溫度，這是1種不平衡的低溫等離子。

Nd203/Y-Al203>CeO2/Y-Al203>Sm203/Y-Al203>Pr2O11/Y-Al2O3>La2O3/Y-Al2O3。根據C2烴的選擇性，催化活性排序如下： La2O3 / Y-Al2O3> CeO2 / Y-Al203 ≈ Pr2O11 / Y-Al203> Sm203 / Y-Al2O3> Nd203 / Y-Al2O3。

在g-C3N4骨架中引人新元素，因而改變材質(zhì)的電子結構，達到調節g-C3N4的光學(xué)和其它物理特性的效用。 plasam光催化材質(zhì)，即基于具有稀有金屬納米顆粒的表面plasam共振效應的金屬納米顆粒與半導體材料復合的光催化材質(zhì)的，當稀有金屬納米顆粒(主要是Au和Ag，尺寸為幾十至幾百納米)分散到半導體器件光催化劑中擴大可見(jiàn)光吸收范圍，同時(shí)增強光吸收能力。。

廣泛應用于半導體制造中，是半導體制造中不可缺少的工藝。因此，它是集成電路加工中一項非常悠久和成熟的技術(shù)。由于等離子體是一種高能量、高活性的物質(zhì)，對有機物等具有很高的蝕刻效果，而且等離子體是通過(guò)干法制造而無(wú)污染的，因此近年來(lái)得到了廣泛的應用。在印刷板的制造中。

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