工件表面上的污染物,如油脂、通量,膠卷,脫模劑,沖壓油,等等,很快就會(huì )被氧化成二氧化碳和水,并將由真空泵抽離,從而達到清洗的目的和改善表面滲透和附著(zhù)力。低溫等離子體處理只涉及材料的表面，二氧化硅等離子體表面清洗不影響材料的性能。由于等離子體清洗是在高真空條件下進(jìn)行的，等離子體中各種活性離子自由路徑長(cháng)，穿透性和滲透性強，可以用細管和盲孔等復雜結構進(jìn)行處理。

等離子體清洗過(guò)程可以獲得真正的清潔,%與等離子體清洗相比,水清洗通常是一個(gè)稀釋過(guò)程,與二氧化碳清洗技術(shù)相比,等離子體清洗不需要使用其他材料,與噴砂清洗相比,等離子體清洗可以完整的處理材料的表面結構,而且不只是表面突出，二氧化硅等離子體刻蝕可在線(xiàn)集成，無(wú)需額外空間，運行成本低，預處理工藝環(huán)保。等離子清洗機的優(yōu)點(diǎn):1。環(huán)保技術(shù)，等離子體作用過(guò)程為氣固共格反應，不消耗水資源，無(wú)需添加化學(xué)藥劑，對環(huán)境無(wú)污染。

等離子體清洗機對玻璃表面的清洗，二氧化硅等離子體表面清洗除機械作用外，主要是活性氧的化學(xué)作用，Ar*處于等離子體的激發(fā)態(tài)，使氧分子被激發(fā)進(jìn)行激發(fā)被氧原子染色的油和硬脂酸主要由碳氫化合物組成，被活性氧氧化產(chǎn)生二氧化碳和水，將油從玻璃表面除去。玻璃手機面板在化學(xué)回火前的清洗過(guò)程非常復雜。針狀電極預電離產(chǎn)生的非平衡Ar/O2大氣壓等離子體射流是一個(gè)簡(jiǎn)單的清洗過(guò)程。用接觸角計測定了水、潤滑油與硬脂酸在玻璃板上的接觸角。

因為硬掩模層通常是二氧化硅,和CF4 CHF3常見(jiàn)腐蝕聚合物可以被創(chuàng )建,并積累了保護層和層間介電層的側壁上,如果讓聚合物沉積在墻上,隨后主要腐蝕將通過(guò)這個(gè)異常圖像底部的洞,在橫條的頂部至底部成為通孔，二氧化硅等離子體表面清洗通孔側壁的粗糙度增大，嚴重影響后續電鍍充銅的完整性。此外，電遷移(EM)作為一種缺陷，容易發(fā)生，從而影響電路的可靠性。

二氧化硅等離子體表面清洗：

不同于濕式化學(xué)處理工藝，等離子清洗機處理是干式處理工藝，如何理解呢?簡(jiǎn)單來(lái)說(shuō),等離子清洗機是通常使用的氣體,和普通氣體,如氧氣、氮氣、壓縮空氣,不需要使用有機化學(xué)解決方案,和無(wú)害的治療主要是由二氧化碳和其他氣體,氣體反應物和生產(chǎn)內容,也不需要干燥,因此，等離子清洗機處理廢水無(wú)廢氣是可以實(shí)現的。

有沒(méi)有辦法去除手機屏幕表面的雜質(zhì)，提高其外觀(guān)的粗糙度，又不會(huì )影響外觀(guān)的正常使用?此時(shí)，等離子體清潔器出現。1879年，克魯克斯首次發(fā)現了物質(zhì)的第四種狀態(tài)，即等離子體的存在。等離子體清洗機通過(guò)等離子體中含有的電子、離子和高活性自由基的反應，這些粒子是非常簡(jiǎn)單和表面污染物反應的產(chǎn)物，最終組成的二氧化碳和水蒸氣被排出，以達到添加粗糙外觀(guān)和表面清潔的效果。

通過(guò)活化、接枝和表面涂層對聚合物和生物材料進(jìn)行表面刻蝕和活化。常規的清洗方法無(wú)法清洗材料的表面膜，留下一層很薄的雜質(zhì)，溶劑清洗就是一個(gè)典型的例子。等離子清洗機是用等離子體對材料表面進(jìn)行轟擊，輕輕地、干凈地擦洗表面。等離子清洗可以去除隱形的油膜、微小的鐵銹和其他用戶(hù)附著(zhù)在醫療器械上的解毒和殺菌產(chǎn)品，已得到廣泛認可。等離子體清洗機治療在同時(shí)清洗和解毒醫療器械方面具有很大的潛力。

第二年，他獲得了半導體設備與材料協(xié)會(huì )頒發(fā)的SEMI獎，因為他建立了半導體行業(yè)的等離子體蝕刻標準。1993年底，他被提升為Applied Materials副總裁，負責管理全球商業(yè)運營(yíng)。1994年，他因多年來(lái)對半導體設備行業(yè)的貢獻而獲得半終身成就獎。林杰克和王寧國博士入選美國硅工程協(xié)會(huì )名人堂。等離子體刻蝕設備是保證高質(zhì)量半導體產(chǎn)品批量生產(chǎn)的基石。

二氧化硅等離子體表面清洗：

根據要蝕刻的材料類(lèi)型、所用氣體的性質(zhì)和所需的蝕刻類(lèi)型，二氧化硅等離子體刻蝕等離子體蝕刻有多種類(lèi)型。操作溫度和壓力對等離子體刻蝕也有重要影響。工作溫度和壓力的微小變化會(huì )顯著(zhù)改變電子的碰撞頻率。RIE(反應離子蝕刻)使用物理和化學(xué)機制來(lái)實(shí)現單向、高級的表面蝕刻。由于RIE過(guò)程結合了物理和化學(xué)相互作用，它比單獨的等離子體蝕刻要快。高能離子碰撞將電子從等離子體中剝離出來(lái)，并允許使用帶正電的等離子體進(jìn)行表面處理。。

真空等離子清洗機的工作過(guò)程如下:將清洗干凈的工件送入真空室固定，二氧化硅等離子體刻蝕設定工作參數，啟動(dòng)運行裝置，抽真空，即真空室中的標準真空度為10PA左右。將等離子清洗氣體引入真空室，保持其壓力在Pa。根據物料清洗的不同，分貝可以選擇氧氣、氫氣、氬氣或氮氣。在真空室的電極與接地裝置之間施加高頻電壓，使氣體被擊穿，通過(guò)輝光放電電離產(chǎn)生等離子體。真空室中產(chǎn)生的等離子體完全包裹在被加工工件中，清洗操作開(kāi)始。