目前，ICP刻蝕機器等離子清洗機RIE/ICP刻蝕主要用于電阻變化存儲器，存儲單元的刻蝕輪廓過(guò)于傾斜，導致刻蝕后金屬電極橫向腐蝕嚴重。隨后的工藝優(yōu)化（如功率脈沖）或引入新的反應氣體應該能夠取得進(jìn)一步的進(jìn)展。等離子清潔器中性粒子束注入 (NBE) 是磁隧道結蝕刻所獨有的，它往往會(huì )在當前 RRAM 應用中的電阻變化開(kāi)關(guān)層中形成金屬氧化物。。

_ 等離子表面清洗系統目前與LCD屏幕、Leds、IC芯片、pcb印刷電路板、smt部署器、貼片電感器和柔性電路相結合。電路板和觸摸顯示器的清潔和蝕刻。等離子清洗過(guò)的IC芯片可以顯著(zhù)提高焊盤(pán)的抗拉強度，ICP刻蝕設備用久了要保養降低電路故障的可能性。殘留的光傳感器抗蝕劑、環(huán)氧樹(shù)脂粘合劑、有機溶液污泥和其他暴露于等離子體的有機化學(xué)污染物會(huì )被快速去除。 PCB 電路板制造商使用等離子表面清潔系統進(jìn)行脫脂和蝕刻，并將絕緣導體插入孔中。

烴基、氨基、羧基等官能團為活性基團，ICP刻蝕設備用久了要保養能顯著(zhù)提高材料的表面活性。。了解等離子蝕刻的文章 了解等離子蝕刻的文章 為去賭博而引入，它在 1980 年代成為集成電路領(lǐng)域中成熟的蝕刻技術(shù)。常用的蝕刻等離子體源包括電容耦合等離子體（CCP電容耦合等離子體）、電感耦合等離子體（ICP）和微波ECR等離子體（微波電子回旋共振等離子體）。

圖 7 離子撞擊效應 3. 電感耦合等離子體 (ICP) 如圖 8 所示，ICP刻蝕機器選擇了兩種類(lèi)型的電感耦合等離子體源：圓柱形和平面結構。射頻電流流過(guò)線(xiàn)圈，在腔室中產(chǎn)生電磁場(chǎng)，激發(fā)氣體產(chǎn)生等離子體，偏置源控制離子沖擊能量。這樣，等離子體密度和離子沖擊能量可以獨立控制。因此，ICP蝕刻機提供了更多的控制方法。

ICP刻蝕

圖 8 兩種方法的 ICP 結構 用于等離子刻蝕的 ICP 源一般為平面結構，這樣很容易獲得可調的等離子密度和等離子均勻分布。此外，平面 ICP 源中使用的介電窗口也易于加工。石英和陶瓷是常用的介電窗口材料。此外，電感耦合ICP源也有電容耦合。介電窗口作為線(xiàn)圈和等離子體之間的耦合層，當線(xiàn)圈的輸出電壓達到2000V時(shí)形成電容耦合。

這種電容性高壓可以在等離子體放電中點(diǎn)燃并持續存在，但是當部分高壓形成時(shí)，會(huì )腐蝕介質(zhì)窗口，產(chǎn)生顆粒，并且可以污染晶圓，因此存在性。通常選擇串聯(lián)在線(xiàn)圈末端的法拉第屏蔽或接地電容器來(lái)減少電容耦合。圖 9 法拉第屏蔽 ICP 源結構。通常認為乙炔在等離子發(fā)生器條件下通過(guò)兩種途徑由甲烷生產(chǎn)：通常認為甲烷在等離子體發(fā)生器條件下通過(guò)兩種途徑產(chǎn)生乙炔： C2 烴的產(chǎn)率增加了 35%。

此外，這種方法環(huán)保，等離子清洗不需要使用危險的化學(xué)溶劑，也不用擔心環(huán)境污染，可以節省大量成本。。3D邏輯與內存時(shí)代等離子清洗機低溫等離子刻蝕技術(shù)演進(jìn) 3D邏輯與內存時(shí)代等離子清洗機低溫等離子刻蝕技術(shù)演進(jìn)：繼2014年NAND量產(chǎn)后，正式進(jìn)入3D時(shí)代（3）我沖進(jìn)了NAND??）。 2015年，Logic產(chǎn)品也進(jìn)入量產(chǎn)三維結構的鰭式晶體管。

如上所述，EED線(xiàn)的改進(jìn)蝕刻技術(shù)已在各種機器上實(shí)現商業(yè)化，并在3D半導體產(chǎn)品市場(chǎng)上確立了地位。在 EED 方向上提高學(xué)術(shù)冷感還包括串聯(lián) ICP (Tandem) 和利用脈沖產(chǎn)生的負離子通過(guò)束流能量控制區形成中性粒子束蝕刻，但后者的選擇性是一個(gè)薄弱環(huán)節。通常，IED 方向的超高頻射頻源可以實(shí)現窄離子能量峰值。這有助于實(shí)現高蝕刻選擇性，但 UHFRF 通常會(huì )提供駐波效應。

ICP刻蝕機器

特別是對于大晶圓，ICP刻蝕機器它會(huì )影響等離子體的均勻性。目前向IED方向改進(jìn)的商用機是東京電子開(kāi)發(fā)的CCP機，其上電極采用負直流脈沖，主要用于刻蝕具有超高縱橫比的存儲器介電材料。該機制是在RF同步脈沖關(guān)閉時(shí)增加DC量，從而增加離子沖擊能力和電荷中和能力。在ICP的方向上，學(xué)者們也提出了類(lèi)似的想法。也就是說(shuō)，在同步脈沖的基礎上，直流電通過(guò)上電極（負極）或下電極（正極）。

由于源射頻和等離子體清潔器 ICP 的偏置射頻之間的耦合可以忽略不計，ICP刻蝕機器因此該直流脈沖的引入允許精確控制不同材料之間蝕刻的高選擇性比?？梢赃_到ALE刻蝕的面積，遠遠優(yōu)于傳統的基于氣體脈沖的ALE刻蝕四步法（吸附、排氣、反應、排氣）。除了改進(jìn) EED 和 IED 的方向，Lam 的混合脈沖（AMMP、氣體、射頻功率等）、超高偏置射頻源和蜂窩（Hydra）靜電卡盤(pán)加熱也是等離子清潔蝕刻機。