線(xiàn)和空隙均為20&mu，CCP清洗設備用M的圖形來(lái)測試蝕刻效果。本文中使用的石墨烯厚度為50nm，生長(cháng)在二氧化硅上。蝕刻條件:70sccm的氧氣和30sccm的氬氣混合氣體，偏壓150W，壓力55mt，利用光敏電阻通過(guò)兩次自旋涂布20M厚的AZ4620圖形獲得。石墨烯的刻蝕速率約為nm / min，而AZ4620的光刻膠刻蝕速率為330nm / min，這也需要較厚的光刻膠或使用3層掩模結構。
早期采用CCl2F2氣體進(jìn)行刻蝕，CCP清潔機但由于選擇比和等離子體對底層膜的損傷，開(kāi)發(fā)了兩種氣體等離子體組合刻蝕方案:CHF3+BCl3和CF4+BCl3。實(shí)際上，這兩種方案都實(shí)現了更快的刻蝕速率和對InAlAs的高選擇比，并且更容易在低壓和高射頻功率下實(shí)現。兩種相似材料的不同腐蝕速率是由于反應產(chǎn)物的揮發(fā)性不同造成的。GaCl3和AsCl3均較易揮發(fā)，而AlCl3較難揮發(fā)，會(huì )影響進(jìn)一步蝕刻。
Radu團隊根據ICCD在10ns曝光下拍攝的放電圖像，CCP清潔機發(fā)現在大氣壓下惰性氣體He、Ne、Ar、氪的DBD間隙中可以實(shí)現輝光放電。除了輝光放電和絲狀放電外，在輝光放電和絲狀放電之間還有第三種放電方式，即柱狀放電。上世紀末以來(lái)，國內電暈實(shí)驗室、清華大學(xué)、大連理工大學(xué)、華北電力大學(xué)、西安交通大學(xué)、華中科技大學(xué)、中國科學(xué)院物理研究所、河北師范大學(xué)等已經(jīng)開(kāi)始學(xué)習APGD。
在線(xiàn)等離子清洗設備是在獨立的基礎上，CCP清洗設備以滿(mǎn)足表面處理均勻性、一致性較高的質(zhì)量要求，提高自動(dòng)化程度，減少人工參與等需求而設計的。根據等離子體產(chǎn)生的激勵方式可分為:電容耦合即CCP，電感耦合即ICP，電子回旋共振即ECR等等離子清洗機設備。根據等離子體發(fā)生器的工作頻率，真空等離子體處理系統可分為中頻、低頻、高頻、射頻和微波三種。。
CCP清洗設備
補充說(shuō)，常壓等離子處理設備建議采取專(zhuān)用的空氣流量控制器，選擇設備要提供穩定的工作氣體，那么真空等離子清洗機廠(chǎng)家一般都會(huì )選擇質(zhì)量流量控制器來(lái)實(shí)現對通入過(guò)程中的氣體流量的控制，真空等離子清洗機一般會(huì )選用0~ 50 SCCM、0~ 500 SCCM，一些大型低壓真空等離子處理設備也會(huì )選用0~1SLM規格的質(zhì)量流量控制器。
◎可設定電源、清洗時(shí)間、氣體流量、清洗真空等參數?！驓怏w質(zhì)量流量計采用美國進(jìn)口，輸入輸出按模擬量，量程在0-200sccm范圍內可無(wú)級調節，針形閥控制工藝氣體流量?！蚯逑春笥刑崾疽??！蚍瓷涔β蔬^(guò)大報警◎泵熱過(guò)載報警;反應室漏氣報警;電極采用高通量等離子體結構，牢固可靠，拆卸方便?！蚍磻覟榫匦尾讳P鋼室，水平放置電極，間距可調。真空泵采用雙腔旋片式泵，極限真空度可在2Pa以下，一般外置。
低壓真空等離子體發(fā)生器與大氣等離子體發(fā)生器內部使用的獨特電纜的區別:無(wú)論是大氣等離子體發(fā)生器還是低壓真空等離子體發(fā)生器，電纜的組成是必不可少的。數據信號的傳輸和開(kāi)關(guān)電源電路的操作必須按電纜進(jìn)行。設備中使用的電纜種類(lèi)很多，其功能也各不相同。下面詳細介紹低壓真空等離子體發(fā)生器和大氣等離子體發(fā)生器電纜的效果和選擇。電纜的選擇和使用保證了電力線(xiàn)路的安全可靠。清潔機器也不例外。
等離子體清洗不需要其他原材料,只要空氣、氧、氫、氮和其他氣體可以滿(mǎn)足要求,易于使用和沒(méi)有污染,同時(shí)比其他清潔機器有一個(gè)好處,那就是等離子體不僅可以進(jìn)行表面清洗,更重要的是,可以提高表面活性。等離子體與物體表面的化學(xué)反應可以產(chǎn)生活性的化學(xué)基團，這些化學(xué)基團具有較高的活性，因此應用范圍廣泛，如提高材料表面粘接能力、提高焊接能力、粘接能力、親水性等許多方面。
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如果您對等離子表面清洗設備有更多的疑問(wèn)，CCP清潔機歡迎咨詢(xún)我們(廣東金來(lái)科技有限公司)
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