PID不僅具有快速的比例效應，鐵基鍍銅鍍鎳的附著(zhù)力而且還具有誤差清除的積分效應和超前調整的差動(dòng)效應。當出現誤差步長(cháng)時(shí)，導數函數立即生效，停止誤差反彈。該比值還具有消除誤差和降低誤差強度的作用。由于比例效應是一種長(cháng)期的、主導的控制規律，它可以使內腔的真空度更加穩定;積分效應逐漸消除誤差。只要適當地調整這三種功能的主要控制參數，就可以靈活地利用這三種控制規律的優(yōu)點(diǎn)來(lái)獲得所提控制的實(shí)際效果。

氬氫混合氣體：半導體行業(yè)常采用Ar和H2的混合氣體對引線(xiàn)框架表面進(jìn)行等離子清洗，鍍鎳的附著(zhù)力和強度可以有效去除表面的雜質(zhì)沾污、氧化層等，從而提高銀原子和銅原子活性，大幅提高焊線(xiàn)與引線(xiàn)框架的結合強度，提高產(chǎn)品良率，在實(shí)際生產(chǎn)中，等離子清洗已成為銅線(xiàn)工藝的必須工序。

高壓變壓器將來(lái)自發(fā)電機的輸出信號升高到發(fā)生所需強度放電所需的水平。處理站圍繞兩個(gè)電極設計：處理電極和反電極（一般處于地電位）。電極是為每個(gè)運用而設計的。 提供各種等離子處理不同資料的等離子表面處理。

該反應的主要產(chǎn)物是C2H6、C2H4、C2H2、CO和H2，鐵基鍍銅鍍鎳的附著(zhù)力可能的反應機理如下。

鍍鎳的附著(zhù)力和強度

O2+CF4=O+OF+CF3+C0+COF+F+E等離子體與高分子材料（常用高分子材料:C、H、O、N)反應+CF3+C的C,H,O,N+O+0+COF+F+E=CO2+H2O+NO2+....等離子體去除有機物的研究；大量高能電子轟擊污染物分子，使其電離、解離、激發(fā)，進(jìn)而引發(fā)一系列復雜的物理化學(xué)反應，再通過(guò)真空泵將污染物抽走。。

當Vs>Vp時(shí)，電極附近形成的電場(chǎng)吸引電子，排斥離子，導致電子密度高于離子密度（Ne>Ni）。由電子形成的空間電荷層是電子鞘。等離子鞘浮動(dòng)襯底護套：當絕緣材料插入等離子體時(shí)，到達絕緣體表面的帶電粒子不能通過(guò)電流，要么在表面重新結合，要么返回等離子體區域。在等離子體中，電子比重粒子移動(dòng)得更快，因此凈負電荷積聚在絕緣體表面。即，表面相對于等離子體區域具有負電位。

典型的等離子體物理清洗工藝是在回波腔內加入氬氣作為輔助處理的等離子體清洗；氬本身是惰性氣體，等離子體中的氬對外觀(guān)沒(méi)有反應，而是通過(guò)離子轟擊使外觀(guān)變得干凈。典型的等離子體化學(xué)清洗工藝是氧等離子體清洗。等離子體產(chǎn)生的氧自由基非常生動(dòng)，簡(jiǎn)單地與碳氫化合物反應，生成二氧化碳、一氧化碳、水等揮發(fā)性物質(zhì)，然后從外部清除污染物。

高寬比給刻蝕工藝帶來(lái)三個(gè)主要挑戰，包括通孔底部等離子體分布不均勻導致通孔底部側壁變形；硬掩模層高度的選擇比例導致刻蝕保護層分布不均勻，導致通孔上側壁變形；并且在蝕刻過(guò)程中，隨著(zhù)通孔的深度越來(lái)越深，等離子體很難到達通孔底部，導致蝕刻停止。

鐵基鍍銅鍍鎳的附著(zhù)力