關(guān)于具有金屬電極的大氣壓直流放電，金屬高附著(zhù)力單體一般是作業(yè)在強電流區，其間在由帶電粒子和中性粒子組成的等離子體中構成了一個(gè)狹窄的電流通道。在這種直流大氣壓等離子體中，帶電粒子和中性粒子挨近熱平衡（各種粒子大致處于相同溫度，大約10 000 K）。相似的情形也可以在巨型閃電及用于焊接和切開(kāi)的電弧等離子體中看到。因為中性氣體組分的溫度過(guò)高，電弧等離子體不適于軟資料外表的處理。

當半導體晶圓片暴露于氧和水時(shí)，金屬高附著(zhù)力固體聚酯樹(shù)脂其表面形成天然氧化層。這種氧化膜不僅干擾半導體制造中的許多步驟，而且還含有某些金屬雜質(zhì)，在一定條件下可以轉移到盤(pán)上形成電氣缺陷。這種氧化膜的去除通常是通過(guò)稀氫氟酸浸泡來(lái)完成的。。

) 與金屬結合的表面特性，金屬高附著(zhù)力固體聚酯樹(shù)脂而不影響另一側的特性。工業(yè)上用硫酸鈉溶液處理可在一定程度上提高粘合效果??，但改變了原有聚四氟乙烯的性能。實(shí)驗表明，撞擊與等離子體結合的PTFE表面后，其表面活性顯著(zhù)提高，與金屬的結合牢固可靠，滿(mǎn)足工藝要求，另一面具有原有的性能保持。并且它的應用也越來(lái)越被認可。。

材料表面的污染物主要有兩個(gè)來(lái)源:通過(guò)物理和化學(xué)手段吸附在表面的外來(lái)分子和表面的天然氧化層:物質(zhì)表面的污染物1)物理吸附的外來(lái)分子可以通過(guò)加熱、而化學(xué)吸附的外來(lái)分子則需要一個(gè)能量較高的化學(xué)反應過(guò)程才能從材料表面解吸;表面天然氧化層一般生成在金屬表面，金屬高附著(zhù)力固體聚酯樹(shù)脂會(huì )影響金屬的可焊性和與其他材料的結合性能。

金屬高附著(zhù)力單體

由于大等離子清洗機蝕刻的金屬硬掩模圖案被用作溝槽蝕刻的掩模層，因此蝕刻的金屬硬掩模層圖案的完整性和臨界尺寸再次轉移到（超）低介電常數將完成。一種材料通過(guò)溝槽蝕刻形成金屬連接。金屬硬掩模層的蝕刻后設計圖案保真度和蝕刻后邊際尺寸偏差的負載效應由隨后的溝槽蝕刻繼承，并且由于溝槽蝕刻負載效應而繼續放大這些偏差。因此，大型等離子清洗機需要嚴格控制金屬硬掩模層的蝕刻。負載效應越小，設計的金屬互連圖案的保真度就越高。

在用等離子體清洗過(guò)程中存在這樣的規律，真空室的真空度越高，使用的高頻電壓越高，清洗效果越好，產(chǎn)生的廢物氣體越易被排除，也有利于防止清洗對象被二次污染。（4）等離子清洗機的其他應用應用領(lǐng)域①金屬材料表面的除油處理。利用等離子體的特殊反應性能使油脂分解并最終氣化的除油方法，在理論上可看成是種精密除油法。由于它可以將使用濕法清洗或超聲波清洗時(shí)很難觸及的狹縫和孔洞深處的油污清洗干凈。

若針尖或細絲處的局部電場(chǎng)大于擊穿電場(chǎng)，則在端部突出處周?chē)a(chǎn)生電暈。在起暈電極中，只有一個(gè)小的曲率半徑，即所謂的單極電暈，單極電暈有正電暈和負電暈，由起暈電極極性確定。正、負兩種電暈的放電機制不同，空間電荷分布有利于正電暈，因此負電暈擊穿電壓比正電暈高。當兩電極均為曲率半徑很小的電極時(shí)，就形成了雙極性電暈，正電暈與負電暈同時(shí)存在，通過(guò)層外區的電流是雙向的，由正、負帶電粒子組成。

這個(gè)過(guò)程一直持續到它分解成穩定的、易揮發(fā)的、簡(jiǎn)單的小分子，使污染物從金屬表面分離出來(lái)。在這個(gè)過(guò)程中，主要自由基的作用（活化）在能量傳遞過(guò)程中，在自由基與表面污垢分子結合的過(guò)程中，釋放出大量的鍵能，釋放的能量是新的表面污垢，用于加速生產(chǎn)的活化（化學(xué)）反應的力量有助于在等離子體的活化（化學(xué)）作用下更徹底（清潔）去除污染物。

金屬高附著(zhù)力固體聚酯樹(shù)脂

當分子的運動(dòng)劇烈到一定程度時(shí)，金屬高附著(zhù)力單體它自身無(wú)法再承受如此劇烈的運動(dòng)與如此頻繁的碰撞，就會(huì )發(fā)生解體，分裂成帶正電和帶負電的幾部分。由于分子本身是電中性的，所以分裂出的所有帶負電的部分與所有帶正電的部分各自帶的總電量是相等的，故稱(chēng)為“等”離子體。等離子體大家對等離子體不熟悉，是因為在地球這個(gè)環(huán)境當中，自然界存在的等離子體不是很多。即便如此，大家也都見(jiàn)過(guò)等離子體，極光、日光燈里都含有大量的等離子體。

上述研究結果表明：在一定等離子體發(fā)生器條件下，金屬高附著(zhù)力單體為獲得較高的C2烴收率及合適的H2/CO比值，應選擇較低CO2加入量。在本實(shí)驗條件下，其值應在20%～35%。C2烴分布隨著(zhù)體系內CO2濃度增加，C2H2的摩爾分數隨之降低；而C2H6、C2H4的摩爾分數則呈現不斷上升態(tài)勢。