問(wèn)題 3：人們?yōu)槭裁匆芯考す?等離子體相互作用？目前，高壓等離子體刻蝕研究激光-等離子體相互作用的主要動(dòng)力是激光和等離子體的慣性約束聚變。我們的化石能源有一天會(huì )耗盡嗎？能源短缺，新能源技術(shù)研究迫在眉睫。慣性約束聚變的原理是利用激光將等離子體限制在高溫、高壓、高密度的狹小空間內，等離子體中的原子核相互碰撞聚集，引起聚變發(fā)射。大量的能量。聚變沒(méi)有聚變，是一種比較清潔的能源。太陽(yáng)可以發(fā)出光和熱，因為聚變仍在繼續。

如今，高壓等離子氫化四氯化硅制備多晶硅這種方法開(kāi)始從人們的視野中消失，并逐漸退出歷史舞臺。目前比較流行的是電暈機加工方法。電暈機也稱(chēng)為火焰機和火花機，其原理類(lèi)似于燃燒。電暈處理方法通常使用高頻、高壓電源在放電工具架和刀片之間的間隙中產(chǎn)生放電，產(chǎn)生低溫等離子體區域并改性塑料薄膜材料的表面。在這個(gè)過(guò)程中，氧氣也被電離產(chǎn)生臭氧。它氧化塑料薄膜的表面并將其從非極性轉變?yōu)闃O性。此外，電子的沖擊使薄膜表面變得粗糙，增加了表面的張力。

其原理是利用高頻高壓電暈放電（5000-15000V/m2高頻交流電壓）對被處理塑料表面產(chǎn)生低溫等離子體。塑料表面與自由基發(fā)生反應，高壓等離子體刻蝕聚合物發(fā)生交聯(lián)。更粗糙的表面和對質(zhì)子溶劑更好的潤濕性——這這些離子通過(guò)電擊滲透到印刷材料的表面，滲透并破壞其分子結構，并使其處理過(guò)的表面分子發(fā)生氧化和極化，離子沖擊侵蝕表面和基材的表面，增加表面附著(zhù)力。等離子處理器用于在線(xiàn)加工，可用于各種生產(chǎn)線(xiàn)上的曲面加工。

等離子清洗機的處理可以提高材料表面的潤濕性，高壓等離子氫化四氯化硅制備多晶硅進(jìn)行各種材料的涂鍍、電鍍等操作，提高粘合強度和粘合強度，去除有機污染物，油類(lèi)和油脂增加。同時(shí)。等離子表面處理機等離子清洗機是一種新型的印刷包裝前輔助設備，可以提高表面能和附著(zhù)力。等離子表面處理設備，也稱(chēng)為等離子清洗機，向放電電極施加高頻和高壓。被處理物的表面分子直接或間接作用，在表面分子鏈中生成羰基、含氮基團等極性基團，大大提高了表面張力。

高壓等離子體刻蝕

2、塑料薄膜材料預處理的電暈處理方法 電暈處理方法通常采用高壓和高壓電源，電暈放電發(fā)生在放電刀架和刀片之間的間隙，低溫等離子區發(fā)生和材料的塑料薄膜變了。在這個(gè)過(guò)程中，氧氣也被電離產(chǎn)生臭氧，臭氧氧化塑料薄膜的表面并將其從非極性轉變?yōu)闃O性。此外，電子殼可以使表面變粗糙。改善薄膜和表面張力。電暈處理比較簡(jiǎn)單實(shí)用，可以連續生產(chǎn)，但放電均勻性差，處理效果有限，薄膜易碎。電暈處理一直難以控制和克服。

生物污染（降低）涂層質(zhì)量。等離子處理是依靠高頻源在真空狀態(tài)下產(chǎn)生的高壓交流電場(chǎng)將工藝氣體振動(dòng)成高能離子，從而分解物品表面的顆粒污染物。然后用工作氣體將其除去。實(shí)踐證明，這種方法可以有效去除硫酸陽(yáng)極氧化膜表面的粘合劑轉移等污染物。如今，等離子處理已廣泛應用于半導體和光電子行業(yè)，并逐漸在光學(xué)、機械、汽車(chē)、航空航天、聚合物和污染控制等行業(yè)得到越來(lái)越廣泛的應用。

蝕刻副產(chǎn)物可被 350°C 以上的高溫激活，但相關(guān)的磁性能也顯著(zhù)降低。一般來(lái)說(shuō)，后等離子清洗機刻蝕工藝（如后He/H2刻蝕工藝）、濕法清洗工藝優(yōu)化、多工藝集成機（薄膜沉積、刻蝕和清洗模塊位于同一平臺上）。真空環(huán)境始終保持）改善。鹵素氣體的替代方法是使用非腐蝕性蝕刻氣體并主要通過(guò)物理沖擊進(jìn)行磁性隧道結蝕刻。電感耦合等離子體在等離子清洗機中具有較高的等離子密度，是常用的。

【等離子設備的刻蝕效果】 刻蝕效果產(chǎn)物中的高分子材料[C、H、O、N]通過(guò)與等離子[O+OF+CF3+CO+F+...]的化學(xué)反應去除（去除）。 ）去做。殘留污染物。 [等離子設備的交聯(lián)效果] ?在稀有氣體中表現出交聯(lián)效果。單鍵斷裂并重新排列以形成雙鍵或三鍵，或形成氧自由基和另一個(gè)鍵的組合的鍵。 【等離子裝置的燒蝕作用】 燒蝕作用是在聚合物表面受到?jīng)_擊時(shí)，去除與聚合物鏈的弱鍵。

高壓等離子體刻蝕

通訊、汽車(chē)、消費電子、光電、紡織、半導體和精密制造在表面涂層、表面膠合和表面清潔方面尤為突出。真空等離子清洗系統的優(yōu)點(diǎn) 真空等離子清洗系統的優(yōu)點(diǎn) 各向異性反應離子刻蝕可以獨立完成清洗和活化任務(wù)。等離子限制環(huán)將等離子直接聚焦在晶圓上，高壓等離子氫化四氯化硅制備多晶硅加速蝕刻，提供均勻的等離子涂層，并將等離子與晶圓本身隔離，而不是與周?chē)鷧^域隔離。由于可以提高蝕刻速度，因此無(wú)需提高電極溫度或增加吸盤(pán)偏壓。

更常用的方法稱(chēng)為 Czochralski 方法。如下圖所示，高壓等離子體刻蝕將高純多晶硅置于石英坩堝中，由周?chē)氖訜崞鬟B續加熱，使溫度保持在1400℃左右。通常，爐內的空氣是惰性氣體并熔化。它會(huì )引起不需要的化學(xué)反應而不會(huì )引起多晶硅。為了形成單晶硅，控制晶體取向：用多晶硅熔體旋轉坩堝，將晶種浸入其中，用拉桿反方向旋轉晶種，用硅熔體慢慢垂直拉動(dòng)。 ..熔融的多晶硅附著(zhù)在晶種底部，沿晶種晶格排列方向連續生長(cháng)。