沒(méi)有濺射或帶沉積的晶片表面上存在底切和分層結構，附著(zhù)力表小因為在晶片和帶的底部沒(méi)有產(chǎn)生或存在等離子體。隨后將環(huán)形邊緣和底部電極之間的間隙變窄，以獲得2毫米或更小的延伸面積。這使您可以像任何其他系統一樣獲得二次等離子體而不是一次等離子體。持久性涂層提高了永久性涂層的附著(zhù)力，并且通常難以為某些滿(mǎn)足嚴格環(huán)境要求的材料提供足夠的保護（例如 TPU）。

這些方面的綜合作用使等離子體預處理技術(shù)成為一種高效的工具。通常，增加油墨附著(zhù)力表面活性劑血漿預處理不需要額外的清洗過(guò)程和底漆處理。等離子處理，涂層附著(zhù)力可靠；等離子體表面處理器預處理技術(shù)的典型應用包括汽車(chē)和航空工業(yè)、電子和家電制造業(yè)、日用品制造業(yè)和包裝工業(yè)?？纱_保對金屬材料如鋁、塑料材料如PP或EPDM或其他材料進(jìn)行預處理表面涂層結合牢固。如果您有任何問(wèn)題或想了解，請隨時(shí)咨詢(xún)等離子技術(shù)廠(chǎng)商。。

附著(zhù)力：提高粘合劑對橡膠的附著(zhù)力，附著(zhù)力表示要么使用等離子離子撞擊表面，要么通過(guò)化學(xué)蝕刻選擇性地改變表面形態(tài)，從而提供更多的粘合點(diǎn)，提高附著(zhù)力。 5.印刷電路板（PCB）一種。從孔中去除膠水。在鍍金之前，您需要去除孔上的膠水。這種爐渣也主要是一種碳氫化合物，它很容易與等離子體中的離子或自由基發(fā)生反應，產(chǎn)生揮發(fā)性碳氫化合物的羥基氧化物，通過(guò)真空系統將其去除。灣。

通孔主蝕刻步驟通常使用高源功率和高偏置功率去蝕刻通孔，附著(zhù)力表示高的源功率增加等離子體的濃度，高的偏置功率產(chǎn)生高能的物理轟擊，會(huì )加速光刻膠的消耗，尤其在圖形密集區域，在高偏置功率下，光刻膠的消耗會(huì )更快。無(wú)論何時(shí)，只要在全部的通孔蝕刻工藝結束前，光刻膠消耗殆盡，大氣等離子清洗機等離子體將直接轟擊層間保護層和層間介電材料。

增加油墨附著(zhù)力表面活性劑

貼合的情況要好于UV產(chǎn)品，但是貼合的方法不能用于小盒產(chǎn)品，刀齒線(xiàn)也會(huì )出現工藝問(wèn)題，增加刀板成本等，低溫等離子技術(shù)很好地解決了上述矛盾。不需要打磨產(chǎn)品表面或打到齒線(xiàn)，有條件時(shí)也可以使用低成本的膠水?？捎行Ы鉀Q傳統糊盒工藝中的幾個(gè)問(wèn)題:拋光會(huì )影響工作效率。3.四、糊盒成本高。

它可以去除對表面的機械損傷、化學(xué)溶劑、完整的綠色工藝、脫模劑、添加劑、增塑劑或其他由碳氫化合物組成的表面污染物。 UV OPP PP PET 金銀卡拋光，紙箱或紙箱貼合前表面處理，低溫寬幅等離子機處理后，可增加貼盒硬度，省去開(kāi)封的麻煩。海藻。還可以減少粘合劑的使用量，有效降低成本。塑料、玻璃、金屬、復合材料等表面絲網(wǎng)印刷，移印前用低溫寬幅等離子清洗機進(jìn)行預處理，可以提高材料表面對油墨的吸附和滲透。

活化小型等離子清洗機:在噴涂、粘接、印刷或壓焊時(shí)，材料表面必須充分潤濕，才能附著(zhù)在所粘的材料上。不僅油和脂漬會(huì )妨礙潤濕性，而且許多材料干凈的表面也不能被各種液體、粘合劑和涂層充分潤濕。水滴下降，即使固化和干燥后也不能粘附在表面。這是因為襯底具有較低的表面能，而較低表面能的材料可以潤濕較高表面能的材料，但絕不會(huì )上下顛倒。加入液體的表面能，也稱(chēng)為表面張力，在任何情況下都低于底物的表面能。

等離子體處理器廣泛應用于等離子體清洗、等離子體刻蝕、等離子體脫膠、等離子體涂層、等離子體灰化、等離子體活化和等離子體表面處理等領(lǐng)域等離子清洗機可增強產(chǎn)品的附著(zhù)力、相容性和潤濕性。通過(guò)等離子清洗機的表面處理，可以提高材料表面的潤濕能力，從而可以對各種材料進(jìn)行涂布和電鍍，增強附著(zhù)力和結合力，同時(shí)去除有機污染物、油污或油脂。

增加油墨附著(zhù)力表面活性劑

由于新技術(shù)的進(jìn)步，附著(zhù)力表示聚碳酸酯燈罩幾乎完全取代了玻璃燈罩。汽車(chē)反光板也由塑料制成，但它們需要高反光性能。為了實(shí)現這一點(diǎn)，塑料表面需要暴露在紫外線(xiàn)下三次。首先，用紫外線(xiàn)照射塑料表面，引起光化學(xué)反應，使等離子表面處理裝置的表面張力增加。這有利于光固化涂料的流平和附著(zhù)力。應用硬化清漆和硬化將使塑料表面光滑并促進(jìn)金屬化。之后，金屬材料的氣相沉積在真空沉積室中完成。