刻蝕是移除晶圓外表資料，隧道內附著(zhù)力減少使其到達集成電路設計要求的一種工藝進(jìn)程，現在芯片制作工藝中廣泛運用干法刻蝕工藝?？涛g機銷(xiāo)售額約占晶圓制作環(huán)節的 24%，是晶圓制作中的要害環(huán)節。 公司產(chǎn)品主要為刻蝕用單晶硅資料，用于加工成刻蝕機上的硅電極（刻蝕用單晶硅部件）。由于硅電極在硅片氧化膜刻蝕等加工工藝進(jìn)程會(huì )被逐步腐蝕并變薄，當硅電極厚度減少到必定程度后，需替換新的硅電極，因而硅電極是晶圓制作刻蝕工藝的中心耗材。

蝕刻過(guò)程中加入可以迅速生成聚合物提供側壁保護的氣體如CHF3、N2、或CH4，隧道內附著(zhù)力減少什么意思使金屬鋁側壁上較為優(yōu)先吸附氟、氮或者碳氫化合物的方式，來(lái)進(jìn)一步減少氯原子與鋁側壁接觸發(fā)生反應，達到保護側壁，使得氯基氣體對金屬鋁的各向異性蝕刻能力更好。

克服了人工貼合時(shí)產(chǎn)生的氣泡、皺著(zhù)、光暈環(huán)、水紋等缺點(diǎn)。操作簡(jiǎn)單，隧道內附著(zhù)力減少什么意思設置簡(jiǎn)單，等離子表面處理機，等離子處理機，常壓等離子處理機方便工廠(chǎng)技術(shù)員維護設備及員工操作使用設備?！　≌駝?dòng)緩沖，設備穩定　　貼合平整，便于脫泡　　X、Y、W三軸可微調，精度易于保證　　貼合壓力可調，減少氣泡產(chǎn)生。

如圖所示，隧道內附著(zhù)力減少等離子體清洗可分為電暈等離子體清洗、輝光等離子體清洗、射頻等離子體清洗、介質(zhì)阻擋等離子體清洗、微波等離子體清洗和大氣等離子體弧清洗。低壓等離子體清洗一般采用電暈等離子體清洗、輝光等離子體清洗和射頻等離子體清洗，常壓等離子體清洗采用等離子體清洗、微波等離子體清洗和常壓等離子體電弧清洗。

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成立于2013年，是一家集設計、研發(fā)、生產(chǎn)、銷(xiāo)售、售后于一體的等離子系統解決方案提供商。作為國內領(lǐng)先的等離子清洗專(zhuān)業(yè)制造商，公司組建了專(zhuān)業(yè)的研發(fā)團隊，與國內多家頂尖高校、科研院所進(jìn)行產(chǎn)、學(xué)、研合作。同時(shí)配備完善的研發(fā)實(shí)驗室，擁有多名機械、電子、化學(xué)等專(zhuān)業(yè)的高級工程師，在等離子體應用和自動(dòng)化設計方面擁有多年的研發(fā)和實(shí)踐經(jīng)驗。公司現擁有多項自主知識產(chǎn)權和多項國家發(fā)明專(zhuān)利。

等離子體清洗的工作原理是將注入的氣體激發(fā)到由電子、離子、自由基、光子和其他中性粒子組成的等離子體中。由于等離子體中存在電子、離子和自由基等活性粒子，它很容易與固體表面發(fā)生反應。反應類(lèi)型可分為物理反應和化學(xué)反應，物理反應主要以轟擊的形式使污染物離開(kāi)表面，從而被氣體帶走;化學(xué)反應是活性顆粒與污染物發(fā)生反應，形成揮發(fā)性物質(zhì)并被帶走。在實(shí)際使用中，通常使用氬氣進(jìn)行物理反應，使用o2或h2進(jìn)行化學(xué)反應。

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等離子體即電離的“氣體”，它呈現出高度激發(fā)的不穩定態(tài)，氣體內部帶電粒子加速運動(dòng)，發(fā)生碰撞，能量傳遞、電離、放電，產(chǎn)生紫外光，可見(jiàn)光等，激發(fā)后的粒子，能和周?chē)奈镔|(zhì)產(chǎn)生化學(xué)反應，有些反應在常規條件下是幾乎不能發(fā)生的，因此等離子體有特殊的加工效果。 其處理過(guò)程是通過(guò)放電、高頻電磁振蕩、沖擊波及高能輻射等方法使惰性氣體或含氧氣體產(chǎn)生等離子體。

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