圖8兩種方法的ICP結構用于等離子體刻蝕的ICP源一般為平面結構，雙津高附著(zhù)力鍍鋁CPP膜該方法容易取得可調的等離子體密度和等離子體均勻性分布，此外平面ICP源使用的介質(zhì)窗也易于加工。石英和陶瓷是常用的介質(zhì)窗資料。此外感應耦合ICP源也存在容性耦合，介質(zhì)窗作為線(xiàn)圈和等離子體之間的耦合層是作為一個(gè)電容器存在，在線(xiàn)圈的輸出端電壓抵達2000V時(shí)，容性耦合將會(huì )構成。

電感耦合等離子體中的電子繞磁力線(xiàn)運動(dòng)，雙津高附著(zhù)力鍍鋁CPP膜比電容耦合機中的自由程大，能在較低的壓力下激發(fā)等離子體。等離子體密度比電容耦合等離子體高約兩個(gè)數量級，電離率可達1%～5%。等離子體的直流電位和離子轟擊能量約為20～40V。與電容耦合等離子體相比較；ICP的離子通量和離子能量可獨立控制。為了更好地控制離子轟擊能量，通常將另一個(gè)RF電源電容耦合到放置襯底的晶圓上。

刻蝕機的原理　　感應耦合等離子體刻蝕法（InducTIvely CoupledPlasma Etch，雙津高附著(zhù)力鍍鋁CPP膜簡(jiǎn)稱(chēng)ICPE）是化學(xué)進(jìn)程和物理進(jìn)程共同作用的結果。

CPP膜經(jīng)等離子體處理，雙津高附著(zhù)力鍍鋁CPP膜其極性分量在總表面能中所占比例減小，而色散分量在總表面能中所占比例卻增加。同時(shí)，當放置大約10h左右時(shí)，表面能及其極性分量和色散分量基本就已降到最低。而當放置10h以后，極性分量和色散分量變化基本趨于平衡狀態(tài)。由上述可知，總表面能的下降是由于其中的極性分量減小而引起的，當極性分量減小時(shí)，其總表面能就下降，潤濕性降低；當極性分量增加時(shí)，其總表面能就上升，潤濕性增加。

雙津高附著(zhù)力鍍鋁CPP膜

等離子體表面處理可顯著(zhù)提高CPP膜的表面潤濕性:總表層隨時(shí)間的增加而減少，極性組分占總表層的比例降低(P/(8+))%，分散組分占比例增加(18/(σ+ jun))%。等離子體表面處理器處理CPP薄膜時(shí)，極性組分占總表面層的比例降低，而分散組分占總表面層的比例增加。同時(shí)，當上下放置至少10h時(shí)，面層、極性分量和彌散分量幾乎減少到最小。而10h后，極性分量和色散分量變化基本趨于平衡。

等離子體表面處理設備和技術(shù)在塑料和電子行業(yè)的應用包括塑料、高分子材料、夾層玻璃、織物、金屬材料等，涉及各個(gè)領(lǐng)域，在塑料和塑料行業(yè)的一些制造行業(yè)的實(shí)際應用，等離子體表面處理設備和技術(shù)在汽車(chē)制造業(yè)中的應用。塑料塑料行業(yè)使用等離子體表面處理設備的應用案例:單表面預處理PP膜穩定耐用，可作為水基分散粘結劑;清潔塑料玩具、奶瓶、奶嘴、洗發(fā)水等塑料制品的等離子臺面表面處理設備;3。

PGP方法首先利用等離子體作用激活表面，然后引入活性基團，再用接枝的方法將原表面上的多個(gè)活性支鏈連接起來(lái)形成一個(gè)新的表面。PPD法是通過(guò)控制工藝條件，將有機化合物氣體形成等離子態(tài)，使其沉積在處理表面形成覆膜的方法。后兩個(gè)是遞增的。。

在正常情況下，一般認為一種物質(zhì)具有三種狀態(tài)：固態(tài)、液態(tài)和氣態(tài)。這三種狀態(tài)的區別在于物質(zhì)中包含的能量。氣態(tài)是物質(zhì)三種狀態(tài)中能量最高的狀態(tài)。當給氣態(tài)物質(zhì)更多的能量（例如加熱）時(shí)，就會(huì )形成等離子體。當達到等離子體狀態(tài)時(shí)，氣態(tài)分子分解成大量高反應性粒子。這些裂變不是永久性的。當用于形成等離子體的能量耗盡時(shí)，各種粒子重新組合形成原始氣體分子。

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等離子體和固體、液體或氣體一樣，雙津高附著(zhù)力鍍鋁CPP膜是物質(zhì)的一種狀態(tài)，也叫做物質(zhì)的第四態(tài)。對氣體施加足夠的能量使之離化便成為等離子狀態(tài)。等離子體的"活性"組分包括：離子、電子、活性基團、激發(fā)態(tài)的核素（亞穩態(tài)）、光子等。等離子表面處理（點(diǎn)擊了解詳情）設備就是通過(guò)利用這些活性組分的性質(zhì)來(lái)處理樣品表面，從而實(shí)現清潔、改性、表面涂層等目的。