在等離子體產(chǎn)生過(guò)程中，電子電路等離子體蝕刻高頻放電產(chǎn)生的瞬時(shí)高能打開(kāi)一些有害氣體分子的化學(xué)鍵，使其分解成簡(jiǎn)單的原子或無(wú)害的分子。(2)等離子體中含有大量高能電子粒子，離子和激發(fā)態(tài)具有很強的氧化性自由基，活性粒子的平均能量高于氣體分子的鍵能，它們經(jīng)常與有害氣體分子發(fā)生碰撞，打開(kāi)氣體分子鍵生成單原子分子和固體粒子，并同時(shí)產(chǎn)生大量·OH、H2O、·O等自由基與O3及有害氣體分子反應生成無(wú)害產(chǎn)物。。
在等離子體中，電子電路等離子體蝕刻由于電子比重粒子移動(dòng)得快，絕緣體表面產(chǎn)生負電荷的凈積累，即絕緣體表面相對于等離子體區域具有負電位。表面區域的負電位會(huì )排斥向表面移動(dòng)的后續電子，吸引正離子，直到絕緣子表面的負電位達到一定值，使離子流與電子流相結合此時(shí)絕緣子表面電位Vf趨于穩定，Vf與等離子體電位(VP-VF)的差值保持不變。此時(shí)，絕緣體表面附近有一空間電荷層，即離子鞘。
等離子體清洗劑是利用這些活性組分的性質(zhì)對樣品表面進(jìn)行處理，電子電路等離子體蝕刻設備從而達到清洗、鍍膜等目的。等離子體是一種電離氣體，其正離子和電子的密度近似相等。由離子、電子、自由基、光子和中性粒子組成的它是物質(zhì)的第四種狀態(tài)。人們普遍認為物質(zhì)有三種狀態(tài):固體、液體和氣體。這三種狀態(tài)是根據物質(zhì)中所含的能量來(lái)區分的。氣態(tài)是物質(zhì)三種狀態(tài)中能量最高的狀態(tài)。給氣體物質(zhì)增加更多的能量，例如加熱它，就會(huì )形成等離子體。
等離子體設備主要是利用蒸汽電離產(chǎn)生等離子體，電子電路等離子體蝕刻設備其中含有電子、離子、官能團和紫外線(xiàn)等高能成分，達到物質(zhì)表面(活性)的目的。
電子電路等離子體蝕刻：
低溫等離子體的應用領(lǐng)域低溫等離子體的物理和技術(shù)經(jīng)歷了從20世紀60年代初的空間等離子體研究到20世紀80年代和90年代的材料取向研究的重大轉變。微電子科學(xué)、環(huán)境科學(xué)、能源與材料科學(xué)的快速發(fā)展為低溫等離子體科學(xué)的發(fā)展帶來(lái)了新的機遇與挑戰。目前，低溫等離子體的物理和應用已經(jīng)成為具有全球影響力的重要科學(xué)和工程，對高技術(shù)經(jīng)濟的發(fā)展和傳統產(chǎn)業(yè)的改造有著(zhù)重大的影響。
因此，在物理沖擊中，離子的能量場(chǎng)越高，沖擊越大，所以物理反應是主要的空氣射頻等離子體表面處理設備是由單電極等離子體處理器產(chǎn)生的低溫等離子體，其離子和電子能量可達7-10eV。
與等離子涂層或等離子蝕刻相比，工件表面不被去除或涂層，而只是修飾。使用大氣等離子體的超精密表面清洗是去除有機、無(wú)機和微生物表面污染物以及強附著(zhù)粉塵顆粒的過(guò)程。它在處理過(guò)的表面上是高效和溫和的。在較高的強度下，它能夠去除薄的表面邊界層，交聯(lián)表面分子，甚至切割硬質(zhì)金屬氧化物。等離子清洗提高濕度和附著(zhù)力，支持廣泛的工業(yè)過(guò)程，準備粘結，涂膠，涂層和油漆。
氣體的特性不同，它們用來(lái)清潔污染物也必須有不同的選擇。當一種氣體滲透到一種或多種額外的氣體，這些元素的組合產(chǎn)生所需的蝕刻和清潔效果。在等離子體等離子體離子或高活性原子的幫助下，表面污染物會(huì )被撞掉或形成揮發(fā)性氣體，然后被真空系統帶走，達到清潔的表面目的。等離子體形成過(guò)程中，氧氣、氮氣、甲烷、水蒸氣等氣體分子在高頻電場(chǎng)的低壓下，在輝光放電的條件下，可以分解成加速運動(dòng)的原子和分子。
電子電路等離子體蝕刻設備：
在亞微米時(shí)代，電子電路等離子體蝕刻四乙基硅酸鹽氧化物(TEOS氧化物)直接沉積在柵上，蝕刻停止在源漏硅上，形成側壁。這種方法的問(wèn)題在于，它會(huì )造成硅的損傷。所以當裝置減少到一定程度時(shí)，泄漏就會(huì )不可控。m時(shí)代，由于TEOS氧化硅側壁不能滿(mǎn)足工藝需要，后來(lái)又開(kāi)發(fā)了氮化硅側壁。Si3n4側壁也稱(chēng)為Si3n4側壁或Si3n4 / Si3n4 (Oxide SiN, ON)側壁，因為蝕刻時(shí)可以停在氧化硅層下面，所以不影響硅。
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