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我們稱(chēng)這三種基本形式為物質(zhì)的三種狀態(tài)。那么在氣態(tài)，等離子體增強化學(xué)氣相沉積設備當溫度上升到幾千度時(shí)會(huì )發(fā)生什么?隨著(zhù)物質(zhì)分子熱量的增加，碰撞使氣體分子電離，從而使物質(zhì)成為自由移動(dòng)和相互作用的正離子和電子的混合物(蠟燭的火焰處于這種狀態(tài))。我們稱(chēng)這種存在狀態(tài)為物質(zhì)的第四種狀態(tài)，即等離子體。因為正離子和電子在電離過(guò)程中總是成對的，所以等離子體中正離子和電子的總數大致相同，而且總體上是準中性的。

等離子體清洗系統常用的激勵頻率有三種:40kHz、13.56mhz和20MHz;不同的等離子體激勵頻率會(huì )產(chǎn)生不同的自偏置電壓。40kHz的自偏置約為0V, 13.56mhz的自偏置約為250V, 20MHz的自偏置更低。這三種激勵頻率具有不同的機制。40kHz的反應是物理反應，等離子體電子密度模擬13.56mhz的反應是物理反應和化學(xué)反應。

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等離子體增強化學(xué)氣相沉積設備

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共軛匹配可以使總阻抗為純電阻，即負載阻抗Z必須為(a- JB)在在線(xiàn)等離子清洗機的設計中，為了將回路中的高頻電流控制在合理的數值范圍內，高頻發(fā)生器的輸出阻抗通常設計為純電阻，一般為50一般來(lái)說(shuō)，高頻放電阻抗是電容阻抗，由于等離子清洗機在線(xiàn)反應腔放電條件的變化，高頻放電阻抗數值發(fā)生變化，所以需要結合放電阻抗調整阻抗匹配網(wǎng)絡(luò )，模擬加和器的負載阻抗，使之與高頻發(fā)電機輸出阻抗相匹配。

結合放電過(guò)程的一維數值模擬，他們認為氮氣中的均勻放電仍然是湯森德放電，而氦中的均勻放電是真正的輝光放電或亞輝光放電。他們還認為，在大氣壓下均勻放電的關(guān)鍵是較低電場(chǎng)下大的電子雪崩的緩慢發(fā)展。因此，在放電開(kāi)始前，縫隙中一定有大量的種子電子，亞穩態(tài)的長(cháng)壽命是極其重要的寧電離可以提供這些種子電子。

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&”;《高能等離子體表面涂層》、《金剛石膜涂層技術(shù)》、《表面改性與涂層過(guò)程模擬與性能預測》。等等都有突破性進(jìn)展。熱化學(xué)表面改性技術(shù)的現狀及發(fā)展趨勢近年來(lái)，等離子體電子密度模擬國外對可控氣氛和真空條件下的滲碳和碳氮共滲的研究得到了重視，并實(shí)現了工業(yè)化。但在國內應用較少，相關(guān)的技術(shù)研究工作還不夠。

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