等離子體清洗還具有以下幾個(gè)特點(diǎn)：容易采用數控技術(shù)，sio2上鍍鋁附著(zhù)力自動(dòng)化程度高；具有高精度的控制裝置，時(shí)間控制的精度很高；正確的等離子體清洗不會(huì )在表面產(chǎn)生損傷層，表面質(zhì)量得到保證；由于是在真空中進(jìn)行，不污染環(huán)境，保證清洗表面不被二次污染。。1.1等離子清洗機工作條件：等離子清洗過(guò)程中需要足夠的發(fā)生氣體和反應氣壓，需要具有足夠的能量才能高速撞擊清洗物的表面。

在這種情況下的等離子表面處理會(huì )產(chǎn)生以下效果：1.1灰化表面有機層 表面會(huì )受到化學(xué)轟擊在真空和瞬時(shí)高溫狀態(tài)下，sio2上鍍鋁附著(zhù)力污染物部分蒸發(fā)污染物在高能量離子的沖擊下被擊碎并被真空帶出紫外輻射破壞污染物 因為等離子處理每秒只能穿透幾個(gè)納米的厚度，所以污染層不能太厚。指紋也適用。 1.2氧化物去除 金屬氧化物會(huì )與處理氣體發(fā)生化學(xué)反應 這種處理要采用氫氣或者氫氣與氬氣的混合物。有時(shí)也采用兩步處理工藝。

反應后產(chǎn)生的物質(zhì)必須是揮發(fā)性的微混合物，鍍鋁附著(zhù)力檢測這樣它們就可以被真空泵抽走。泵的容量和速度必須足夠大，以快速排出反應的副產(chǎn)物，并且補充反應所需的氣體。。

一般使用蝕刻氣體以O2為主以達到足夠高的縮減速率。循環(huán)蝕刻過(guò)程中單次蝕刻SiO2與Si3N4并停止在下層SiO2表面，sio2上鍍鋁附著(zhù)力由于選擇比的需要，— 般分解為SiO2蝕刻(相對低選擇比)步驟和Si3N4蝕刻，后者需要對 SiO2有較高的選擇比以便停止在下層SiO2表面。通常SiO2蝕刻采用CF4/CHF3等碳氟比例相對較低的蝕刻氣體，而Si3N4蝕刻則采用CH2F2等碳氟比例較高的蝕刻氣體。

sio2上鍍鋁附著(zhù)力

這是因為等離子體清潔設備需要一個(gè)干凈的硅界面用于濕法蝕刻以形成Sigma硅溝槽。這種深度差可以通過(guò)在蝕刻氣體中引入Cl2來(lái)實(shí)現。與其他氣體（如HBr）相比，氯和硅形成的副產(chǎn)物具有更好的氣化性能，可以有效減少蝕刻副產(chǎn)物的沉積，提高蝕刻負荷。實(shí)驗表明，Cl2的加入對改善深度差非常有效。通過(guò)引入Cl，該圖案引起的深度差可改善60%。

CF4：藍色 SF6：淺藍色 SiF4：淺藍色 SiCl4：淺藍色 Cl2：淺綠色 CCl4：淺綠色 H2：粉紅色 O2：淺黃色 N2：紅色到黃色 Br2：紅色 He：紅色到紫色 Ne：磚紅色 Ar：深紅色 等離子清洗機產(chǎn)生的發(fā)光顏色不僅可以識別工藝氣體，還可以定性評估工藝氣體是否含有污染物。也可用于。。等離子清洗機超負荷保養知識！等離子清洗機一般分為常壓等離子清洗機和真空等離子清洗機。

1-2、 芯片等離子清洗處理過(guò)程及效果　　1、功率：300W　　2、氣體：氧氣/氬氣/氫氣。

等離子處理機設備對表面清洗，可以清除表面上的脫模劑和添加劑等，而其活化過(guò)程，則可以確保后續的粘接工藝和涂裝工藝等的品質(zhì)，對于涂層處理而言，則可以進(jìn)一步改善復合物的表面特性。使用這種等離子技術(shù)，可以根據特定的工藝需求，高效地對材料進(jìn)行表面預處理。

鍍鋁附著(zhù)力檢測

真空低溫等離子處理設備與真空泵相連，鍍鋁附著(zhù)力檢測在清洗過(guò)程中，對清洗室內的等離子體進(jìn)行清洗，對物體表面進(jìn)行清洗。有機物只需短時(shí)間清洗即可徹底清洗，污染物可用真空泵去除，清洗程度可達到分子水平?？梢杂行П苊庖后w洗滌劑對被清洗物的二次污染。申請過(guò)程需要一定的風(fēng)險管理意識。 1、真空低溫等離子處理器的風(fēng)險是： (1)清洗劑泄漏的危險：清洗劑通常是氣體，經(jīng)常使用和發(fā)送氣瓶。對于通過(guò)管道的設備。

普通氣體由電中性分子或原子組成。這些是電子、離子、原子、分子或自由基的一組粒子，sio2上鍍鋁附著(zhù)力而這些粒子的值總是相等的?；谶@種類(lèi)型的等離子體成分，電離氣體表現出兩種特性： 1.電離氣體是一種單導電流體，但它可以在類(lèi)似于氣體體積的宏觀(guān)尺度上保持其電中性。 2.電離的庫侖力存在于氣體的帶電粒子之間，并提供了一個(gè)影響和控制帶電粒子群整體運動(dòng)的磁場(chǎng)。產(chǎn)生等離子體的方法有很多。天體和高層大氣之間有一條自然的路。