plasma等離子體作用下CO2添加量對CH4轉化反應的影響：在O2等離子體甲烷氧化偶聯(lián)反應中，附著(zhù)力促進(jìn)劑添加量O2的加入量會(huì )直接影響到CH4轉化率和C2烴選擇性，較低的O2加入量使CH4轉化率低，過(guò)高的O2加入量將導致CH4氧化為COx(x=1，2）。對于plasma等離子體作用下的CO2氧化CH轉化反應而言，也存在著(zhù)合適的CO2添加量。
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CO2添加量對CH4、CO2轉化率和產(chǎn)物收率的影響結果可見(jiàn)：當原料氣中CO2濃度由15%增至85%時(shí)，附著(zhù)力促進(jìn)劑添加量CH4轉化率隨之逐漸增加，CO2轉化率則呈峰形變化，在CO2濃度為50%~65%達到高為24%左右。
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在放電間隙中，附著(zhù)力促進(jìn)劑添加量伴隨頻率進(jìn)一步提高到54.24MHz，產(chǎn)生高密度電子，形成一個(gè)穩定的中性等離子體區域。這說(shuō)明隨著(zhù)伴隨頻率的提高，放電結構發(fā)生了變化，傳統的輝光結構得以出現。 20年專(zhuān)注研發(fā)射頻等離子清洗機等，如果想了解更多產(chǎn)品細節或在設備使用方面有疑問(wèn)，請點(diǎn)擊 在線(xiàn)客服，恭候您的來(lái)電！。
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與其他放電方式相比，脈沖電暈還具有以下優(yōu)點(diǎn):(1)脈沖電暈工作在較高的脈沖電壓下，不像直流電暈在稍高電壓下容易過(guò)渡到火花放電，及其活性粒子濃度可以好幾個(gè)數量級高于直流電暈;(2)由于日冕面積大,放電空間的電子密度更高的高電壓的作用下,和空間電荷效應更加明顯,反應中電子的分布區域往往是統一的,所以有源電暈的空間要比直流電暈大得多，要注意使用高壓開(kāi)關(guān)電源;(3)由于電子密度高、分布廣，電抗器的設計空間大，允許電抗器制造誤差大。
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