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IC封裝中存在的問(wèn)題主要包括焊接分層、虛焊或打線(xiàn)強度不夠，常州等離子清洗設備批發(fā)導致這些問(wèn)題的罪魁禍首就是引線(xiàn)框架及芯片表面存在的污染物，主要有微顆粒污染、氧化層、有(機)物殘留等，這些存在的污染物使銅引線(xiàn)在芯片和框架基板間的打線(xiàn)焊接不完(全)或存在虛焊。 第壹個(gè)環(huán)節是芯片和基板進(jìn)行粘接前需要用等離子清洗。

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并且,過(guò)長(cháng)時(shí)間的清洗可能會(huì )對材料表面產(chǎn)生損傷。(五)傳動(dòng)速度:對于常壓等離子體清洗工藝,處理大物件時(shí)會(huì )涉及連續傳動(dòng)問(wèn)題。因此待清洗物件與電極的相對移動(dòng)速度越慢,處理效果越好,但速度過(guò)慢一方面影響工作效率,另一方面也可能造成處理時(shí)間過(guò)長(cháng)產(chǎn)生材料表面損傷。(六)其他:等離子體清洗工藝中的氣體分配、氣體流量、電極設置等參數也會(huì )影響清洗效果。因此需要根據實(shí)際情況和清洗要求設定具體的、適合的工藝參數。

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使用有機發(fā)光二極管（OLED）的電致發(fā)光器件正在迅速的成為主流顯示技術(shù)。它們的基本結構由兩個(gè)電極和夾在其間的一層或多層發(fā)光材料組成。其中的一個(gè)電極必須是透明的(ITO)，且經(jīng)常做在玻璃基體上。對于高分子OLED器件(PLED)，使用有機光學(xué)成像材料在ITO上制作儲存槽。然后通過(guò)噴墨列印把PLED材料從溶液中分配到儲存槽里。ITO電極的表面性能將決定PLED器件的電學(xué)和光學(xué)性能。

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