作為稀釋氣體，氮化硼的表面改性Ar和He對GST形態(tài)影響不大，但He用于四線(xiàn)圖組時(shí)，邊緣圖和中心圖的負荷較小。對于A(yíng)r，載荷更顯著(zhù)，這可能是由于A(yíng)r和he 2之間存在顯著(zhù)的質(zhì)量差異所致。氮化鈦是GST刻蝕常用的硬掩模，其輪廓形狀直接影響底層GST的輪廓。氯氣(Cl)主要用于氮化鈦的蝕刻。
在射頻低溫等離子體發(fā)生器氮化中，氮化硼的表面改性低溫等離子體發(fā)生器的產(chǎn)生和襯底偏壓的產(chǎn)生是分開(kāi)控制的，因此離子能量轉換和襯底表面通量可以分開(kāi)控制。由于工作壓力相對較低，消耗的氣體量也相應減少（低）。在滲氮過(guò)程中，低能量轉換的直流輝光放電可產(chǎn)生NH原子，這些高活性原子可用于滲氮。整個(gè)過(guò)程需要外接電源對工件進(jìn)行加熱，與氣體滲氮工藝類(lèi)似。這類(lèi)工業(yè)不僅可以精確控制表面拓撲結構，而且可以選擇是否形成復合層。
在等離子體表面處理改性過(guò)程中，氮化硼的表面處理改性不僅可以去除污垢(如有機物)，還可以產(chǎn)生一些功能極性基團，促進(jìn)鍵合，通過(guò)交聯(lián)產(chǎn)生獎勵效應。電暈放電是許多聚合物在纏繞和涂覆過(guò)程中經(jīng)常使用的一種方法，對許多聚合物具有經(jīng)濟有效的作用。新開(kāi)發(fā)的表面處理技術(shù)可以對射頻廠(chǎng)的混合氣體進(jìn)行電離，并結合直流磁控濺射技術(shù)，利用等離子體處理技術(shù)對其表面進(jìn)行氧化、氮化、氨化或水解等處理，以提高材料的表面能，改善其結合性能。
氮化硅薄膜用于制造新的功能性、多功能、可靠的器件和等離子表面處理，氮化硼的表面處理改性其性能高度依賴(lài)于薄膜的制造條件。等離子化學(xué)氣相沉積（簡(jiǎn)稱(chēng)PECVD）具有沉積溫度低（<400℃）、沉積膜針孔密度低、均勻性高、臺階覆蓋率好等優(yōu)點(diǎn)。 PECVD氮化硅薄膜技術(shù)廣泛應用于半導體器件和集成電路的開(kāi)發(fā)、芯片固定化膜的制作、多層布線(xiàn)之間的介質(zhì)膜的制造，并已發(fā)展為大規模和超大規模集成。
氮化硼的表面改性
磷樹(shù)脂在燃燒時(shí)，熱分解后生成重磷酸，脫水能力極強，使聚合物樹(shù)脂表面形成碳化膜，隔離樹(shù)脂燃燒表面與空氣的接觸，使火災熄滅，達到阻燃效果。一種含有磷和氮化合物的聚合物樹(shù)脂，在燃燒過(guò)程中產(chǎn)生不可燃氣體，幫助樹(shù)脂體系阻燃無(wú)鹵素平板的特性由于鹵原子被P或N取代，在一定程度上降低了環(huán)氧樹(shù)脂分子鍵段的極性，從而提高了絕緣性能和耐磨性。
因為氮化硅側墻蝕刻可以停止在下面的氧化硅層上，所以不會(huì )對硅有影響 這樣的側墻也叫氮化硅側墻或者氧化硅/氮化硅(Oxide SiN，ON)側墻。到了0.18μm時(shí)代，這個(gè)氮化硅側墻的應力太大，會(huì )造成飽和電流降低，漏電增加。為了降低應力，需要提高沉積溫度到700℃，量產(chǎn)的熱成本將會(huì )提高，同樣會(huì )增加漏電。因此在0.18μm時(shí)代選用ONO側墻。
有機大分子的化學(xué)鍵可以被完全破壞形成新的鍵，但遠低于高能輻射射線(xiàn)，高能輻射射線(xiàn)只涉及材料表層，不會(huì )影響其性能。在低溫等離子體中，處于非熱力學(xué)平衡狀態(tài)的子粒子具有較高的動(dòng)能，能打破材料表層分子的化學(xué)鍵，提高粒子的化學(xué)反應活性（大于熱等離子體）；結果表明，中性粒子的溫度接近常溫，有利于熱敏聚合物表面層的改性。1.硅膠表面具有表面能低、潤濕性差、結晶度高、非極性分子鏈、弱邊界層等特點(diǎn)，對環(huán)境友好。
2.可清除FPC柔性板上的干膜殘留物。3.等離子清洗技術(shù)后，能有效加強焊接字符的附著(zhù)力，防止其脫落。4.針對電子/電路板行業(yè)，起到活化、改性、噴涂的作用。與傳統清洗方式相比，等離子清洗有哪些優(yōu)勢：1.經(jīng)等離子清洗技術(shù)清洗后，清洗物品已徹底干燥，無(wú)需再次干燥即可送往下一道工序。2.未采用三氯乙基甲基ODS有害溶劑，等離子體清洗技術(shù)清洗后不會(huì )產(chǎn)生有害物質(zhì)，屬于環(huán)保綠色清洗方法。
氮化硼的表面改性
除此之外，氮化硼的表面改性還會(huì )造成資料表面產(chǎn)生交聯(lián)反響，所謂交聯(lián)，主要是自由基經(jīng)過(guò)重新組合之后，表面會(huì )構成網(wǎng)狀交聯(lián)層。 然后，等離子表面改性進(jìn)程中，會(huì )引入極性基因安排。放電控件反響活性粒子和資料表面的自由基產(chǎn)生結合，然后引入活性十分強的極性基因。
半成品的粘合性能受環(huán)境（溫度、濕度、光照、通風(fēng)等）、膠料的保質(zhì)期和粉塵等因素的影響。粘接和加油過(guò)程復雜，氮化硼的表面處理改性需要很多工藝點(diǎn)，并且受溫度和濕度的影響很大。在溫差較大的季節，更容易出現膠粘劑變化的問(wèn)題。時(shí)間，它不環(huán)保，影響操作者的健康和安全。和其他嚴重缺陷。如今，等離子車(chē)架機中的低溫等離子技術(shù)廣泛應用于汽車(chē)行業(yè)材料的表面處理，用于對儀表、座椅、發(fā)動(dòng)機、輪輞、汽車(chē)油漆和橡膠密封件等零件進(jìn)行改性。
