領(lǐng)域的集成電路芯片制造、等離子體處理技術(shù)已經(jīng)成為不可替代的成熟的過(guò)程,無(wú)論是芯片源離子注入,或晶片涂層,或我們的低溫等離子體表面處理設備可以實(shí)現:晶圓表面去除氧化膜、有機物質(zhì)、面具和其他ultra-purification治療而表面活化(activation)可以提高晶體的表面潤濕性。。常壓低溫等離子體處理設備由等離子體發(fā)生器、氣體輸送系統和等離子體噴嘴組成。

從 16 / 14nm 節點(diǎn)開(kāi)始，晶體表面等離子體改性在 3D 晶體管構建、更復雜的前后端集成、EUV 光刻技術(shù)的推動(dòng)下，工藝數量大幅增加，對工藝和工藝清潔的要求也大幅增加。去做。從全球市場(chǎng)份額來(lái)看，單晶圓清洗設備的表現優(yōu)于主動(dòng)清洗站，自 2008 年業(yè)界推出 45nm 節點(diǎn)以來(lái)，已成為最重要的清洗設備。據 ITRS 稱(chēng)，2007-2008 年是 45nm 工藝節點(diǎn)量產(chǎn)的開(kāi)始。

當集體振動(dòng)和電子的振動(dòng)頻率與入射光波的頻率相匹配時(shí)，晶體表面等離子體改性就會(huì )發(fā)生共振。這時(shí)，形成了一種特殊的電磁模式。電磁場(chǎng)僅限于金屬表面的一個(gè)狹窄區域，稱(chēng)為表面等離子體現象。這種電磁場(chǎng)增強效應可以有效提高分子的熒光產(chǎn)生信號、原子諧波的產(chǎn)生效率以及分子的拉曼散射信號。在宏觀(guān)尺度上，這種現象表現為金屬晶體在某些波長(cháng)下的透光率顯著(zhù)增加。。

在毛利率層面，晶體表面改性15-16英寸產(chǎn)品毛利率超過(guò)65%，比15-16英寸產(chǎn)品高出約10個(gè)百分點(diǎn)，16-19英寸產(chǎn)品毛利率接近80%此外，隨著(zhù)公司生產(chǎn)工藝的改進(jìn)和大型晶體生長(cháng)設備的引進(jìn)，單位爐加料量和單晶硅良量大幅增加，使得公司各系列產(chǎn)品毛利率均有所提升。公司整體毛利率波動(dòng)較大，2016-2018年分別為43.73%、55.1%和63.77%，2019年上半年進(jìn)一步提升至67.25%。

晶體表面改性