冷等離子表面處理技術(shù)不僅可以改變碳材料的表面化學(xué)性質(zhì)，碳表面改性還可以控制材料界面的物理性質(zhì)。這顯著(zhù)改變了碳材料的表面組成，為碳表面處理的廣泛應用提供了前景。材料。 DBD是一種具有大空間均勻放電的高壓操作類(lèi)型，包括輝光放電和電暈放電，可以在高壓和寬頻率范圍內操作。這是典型的非平衡交流氣體放電。在常壓下可產(chǎn)生大量能量密度高的低溫等離子體，無(wú)需真空裝置即可獲得低溫重整所需的活性粒子。它具有光、熱、聲、電等特殊物理性質(zhì)。
冷等離子表面處理技術(shù)不僅可以改變碳材料的表面化學(xué)性質(zhì)，氟化碳表面改性還可以控制材料界面的物理性質(zhì)。這顯著(zhù)改變了碳材料的表面組成，為碳表面處理的廣泛應用提供了前景。材料。 DBD是一種具有大空間均勻放電的高壓操作類(lèi)型，包括輝光放電和電暈放電，可以在高壓和寬頻率范圍內操作。這是典型的非平衡交流氣體放電。在常壓下可產(chǎn)生大量能量密度高的低溫等離子體，無(wú)需真空裝置即可獲得低溫改性所需的活性粒子。有特殊的物理過(guò)程，如光、熱、聲和電。
碳化硅相氮化碳(g-C3N4)僅由C.N元素組成，碳表面改性配制原料便宜，配制方法簡(jiǎn)單，具有合適的能帶位置、良好的光學(xué)性質(zhì)、優(yōu)異的熱穩定性以及化學(xué)穩定性。然而，當光照射到氮化碳表面產(chǎn)生電子和空穴時(shí)，基于復合率較高，光生電子在到達半導體器件-電解質(zhì)界面之前復合，這將大大影響光催化的效率。 科學(xué)家們嘗試利用金屬元素或非金屬元素摻雜來(lái)達到優(yōu)化g-C3N4性能的目的。
但如果時(shí)間過(guò)長(cháng)，氟化碳表面改性表面可能產(chǎn)生分解，形成新的弱界面層。冷等離子體裝置設置在密閉容器中,兩個(gè)電極形成電場(chǎng)與真空泵達到一定程度的真空,天然氣越來(lái)越薄,分子之間的距離和自由流動(dòng)的分子或離子之間的距離也越來(lái)越長(cháng),電場(chǎng),它們相互碰撞形成等離子體，然后產(chǎn)生輝光，這就是所謂的輝光放...
