當電子（荷電1.6×10-19庫侖）通過(guò)電場(chǎng)中1伏的電位差時(shí)，粉體環(huán)氧附著(zhù)力促進(jìn)劑電子從電場(chǎng)中獲得的能量為W=1eV，1eV=1.6×10-19庫侖×1伏=1.6022×10-19焦耳，1eV對應的溫度為11600K（開(kāi)爾文溫度；開(kāi)爾文）。等離子體主要通過(guò)粒子之間的碰撞相互傳遞能量，達到熱力學(xué)平衡，但各種粒子之間的碰撞概率不相等，因此傳遞能量也不相等。

當等離子體能量密度為860kJ/mol時(shí)，環(huán)氧附著(zhù)力促進(jìn)劑4511C2H6的轉化率為23.2%，C2H4和C2H2的總收率為11.6%。一般認為，流動(dòng)等離子體反應器中高能電子的密度和平均能量主要由反應氣體流量一定時(shí)的等離子體能量密度決定。

當電子（荷電1.6×10-19庫侖）在電場(chǎng)中通過(guò)1伏電位差范圍時(shí)，粉體環(huán)氧附著(zhù)力促進(jìn)劑電子從電場(chǎng)中獲得的能量為W=1eV，1eV=1.6×10-19庫侖×1伏=1.6022×10-19焦耳，1eV對應的溫度為11600K（開(kāi)爾文溫度；開(kāi)爾文）。等離子體主要通過(guò)粒子之間的碰撞相互傳遞能量達到熱力學(xué)平衡，但各種粒子之間的碰撞概率不相等，因此能量傳遞也不相等。

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粉體環(huán)氧附著(zhù)力促進(jìn)劑

設電源內阻抗即輸出阻抗為（a+jb）Ω，為滿(mǎn)足在負載上Z大的功率輸出，就需要負載阻抗和高頻發(fā)生器輸出阻抗“共軛匹配”。共軛匹配可以實(shí)現將總阻抗變成純電阻的，即此時(shí)負載阻抗Z必須為（a-jb)Ω。 一種典型的高頻匹配網(wǎng)絡(luò )如下圖所示。

等離子體狀態(tài)中存在下列物質(zhì)：處于高速運動(dòng)狀態(tài)的電子；處于激活狀態(tài)的中性原子、分子、原子團（自由基）；離子化的原子、分子；未反應的分子、原子等，但物質(zhì)在總體上仍保持電中性狀態(tài)。

氫氣做為活潑氣體,其等離子體具有很強的化學(xué)反應活性,氫氣等離子體形成的過(guò)程如下:H2→H2+e(1.1)H2→2H(1.2)H2+e→H2+e(1.3)H2+e→H2+hv+e(1.4)H2+e→2H+e(1.5)H2+e-H+H++2e(1.6)式1.1表示氫氣分子在得到外界能量后變成氫氣陽(yáng)離子,并放出自由電子的過(guò)程。

比起其他替代材料，III-V族化合物半導體沒(méi)有明顯的物理缺陷，而且與目前的硅芯片工藝相似，很多現有的等離子體蝕刻技術(shù)都可以應用到新材料上，因此也被視為在5nm之后繼續取代硅的理想材料。

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