通常，流水線(xiàn)等離子蝕刻設備添加弱負氣體會(huì )導致負偏壓急劇增加。對于電負性氣體放電，小的流量變化對 VDC 的影響很小。 2.1.2.2 大氣壓也會(huì )影響VDC，高壓，更多的分子、原子、電子碰撞產(chǎn)生新的電子和離子，所以增加大氣壓會(huì )增加更多的自由電子，負偏壓增加?；锇樵诒砻嫔?，新的電子和離子隨著(zhù)壓力的增加而減少，密度增加，電子的平均自由程減少，電子在與分子碰撞之前獲得的能量減少。因此，當談到等離子蝕刻時(shí)，有兩個(gè)相反的趨勢。

適用于等離子清洗、活化、蝕刻、沉積、接枝、聚合等各種基材、粉末或顆粒材料的等離子表面改性。材料表面常有油脂、油等有機污漬和氧化物層。在膠合、焊接和涂漆之前需要進(jìn)行等離子處理，流水線(xiàn)等離子蝕刻以獲得完全清潔、無(wú)氧化物的表面。等離子清洗技術(shù)的最大特點(diǎn)是無(wú)論被處理的基材類(lèi)型如何，都可以進(jìn)行處理。

3、表面蝕刻處理液反應氣體等離子技術(shù)選擇性地蝕刻原材料的表面，流水線(xiàn)等離子蝕刻機器將被蝕刻的材料轉化為氣相并用真空泵排出，增加了工件的微觀(guān)比表面積。它具有優(yōu)良的親水性。 4、等離子清洗劑和納米涂層溶液經(jīng)過(guò)等離子清洗劑處理后，由等離子技術(shù)正確誘導的聚合作用構成納米涂層。各種類(lèi)型的材料通過(guò)表面電鍍具有疏水性、親水性、疏油性和疏油性。 5、等離子清洗機和PBC處理液其實(shí)和等離子技術(shù)的蝕刻工藝有關(guān)。

由于等離子清洗是在高真空下進(jìn)行的，流水線(xiàn)等離子蝕刻各種活性離子在等離子中的自由通道很長(cháng)，它們的滲透性和滲透性很強，可以處理細管、盲孔等復雜結構。官能團的引入：聚合物和原材料的施膠、印刷、焊接和噴涂預處理，通過(guò)活化在工件表面形成理想的結合面。用N2、NH3、O2、SO2等氣體對高分子材料進(jìn)行等離子體處理，可以改變表面的化學(xué)成分，引入相應的新官能團（-NH2、-OH、-COOH、-SO3H等），具有性。

流水線(xiàn)等離子蝕刻機器

這種氧化反應產(chǎn)生的官能團增加了表面能，有助于加強與樹(shù)脂基體的化學(xué)鍵。這些含有羰基（-C = O-）。 (HOOC-)、氫過(guò)氧化物 (HOO-) 和羥基 (HO-) 基團。高壓放電的表面處理只改變表面性質(zhì)，不影響材料的體積性質(zhì)。通過(guò)在電極之間建立高電位差，在電極之間的大間隙中保持放電。施加高壓是唯一可以治愈的條件。高速運動(dòng)部件的一致處理需要從電源到放電區域的高效能量傳輸。

冷等離子體中粒子的能量一般在幾到10電子伏特左右，高于高分子材料的結合能（數到10電子伏特），它可以完全破壞有機聚合物中的化學(xué)鍵，形成新的債券。它會(huì )更大。但它遠低于高能放射線(xiàn)，只包含材料的表面，不影響基體的性能。在非熱力學(xué)平衡的冷等離子體中，電子具有很高的能量，可以破壞材料表面分子的化學(xué)鍵，提高粒子的化學(xué)反應性（大于熱等離子體）。中性粒子的溫度接近室溫，這些優(yōu)點(diǎn)為熱敏聚合物的表面改性提供了合適的條件。

薄膜沉積是通過(guò)電阻熱、離子沖擊或電子束照射使各種或幾種材料汽化（或化學(xué)分解），并在基板表面直接沉積薄膜的過(guò)程。 (2)條件差異一般等離子噴涂可以在真空環(huán)境的大氣環(huán)境中直接實(shí)現氣相沉積。 (3)涂層的結構和厚度不同，涂層的結構是層狀的，在涂層的顆粒和孔隙之間的界面處有很多缺陷，它是一種高密度薄膜材料，厚度為幾微米。 (4)等離子裝置的熱噴涂性能不同，涂層的氣相沉積性能有所提高，材料的性能有很大的提高。

由于等離子的方向性不是很強，它會(huì )深入到原材料的細孔和鋸齒狀的內部結構中進(jìn)行清洗，因此無(wú)需過(guò)多考慮要清洗的原材料的形狀。 并且這樣一個(gè)難處的清潔效果等于或優(yōu)于空調的氟利昂清潔。五。使用等離子清洗機可以大大提高清洗效率。整個(gè)清潔制造過(guò)程可以在幾秒鐘內完成，具有高產(chǎn)的優(yōu)勢。 6、等離子清洗機需要控制的真空值在真空值Pa左右，很容易達到這種清洗所需的條件。

流水線(xiàn)等離子蝕刻機器