并且各種粒子在對物體處理過(guò)程中所表現出來(lái)的作用也各不相同的。。半導體制造中需要一些有機物和無(wú)機物參與完成,另外,由于工藝總是在凈化室中由人的參與進(jìn)行,所以半導體圓片不可避免的被各種雜質(zhì)污染。根據污染物的來(lái)源、性質(zhì)等,大致可分為四大類(lèi)。氧化物半導體圓片暴露在含氧氣及水的環(huán)境下表面會(huì )形成自然氧化層。這層氧化薄膜不但會(huì )妨礙半導體制造的許多工步,還包含了某些金屬雜質(zhì),在一定條件下,它們會(huì )轉移到圓片中形成電學(xué)缺陷。

用氧等離子通過(guò)化學(xué)反應，金屬表面附著(zhù)力處理能夠使非揮發(fā)性有機物變成易揮發(fā)性的CO2和水蒸氣，去除沾污物，使表面清潔；用氫等離子可通過(guò)化學(xué)反應去除金屬表面氧化層，清潔金屬表面。

但經(jīng)傳統濕法處理后的SiC表面存在著(zhù)殘留有C雜質(zhì)和表面容易被氧化等缺點(diǎn)，金屬表面附著(zhù)力處理使得在SiC上不容易形成優(yōu)良的歐姆接觸和低界面態(tài)的MOS結構，這嚴重影響了功率器件的性能。plasma清洗機等離子體增強金屬有機物，化學(xué)氣相沉積系統可以在低溫下產(chǎn)生低能離子和高電離度高濃度高活化高純氫等離子體，使得在低溫下除去C或OH-等雜質(zhì)離成為了可能。

這些官能團都是活性基團，粗糙度影響金屬表面附著(zhù)力能明顯提高材料的表面活性。2.材料表面蝕刻-物理效應等離子體中的大量離子、激發(fā)分子、自由基等活性粒子作用于固體樣品表面，不僅清除（去除）了表面原有的污染物和雜質(zhì)，還會(huì )產(chǎn)生蝕刻，使樣品表面變得粗糙，形成許多細小的坑洞，從而增加了樣品的比表面積。提高固體表面的潤濕性。3.激發(fā)（活化）鍵能與交聯(lián)等離子體中粒子的能量為0～20eV，而聚合物中大多數鍵的能量為0～10eV。

金屬表面附著(zhù)力處理

由于等離子體是高活性、高能物質(zhì)的集合體，所以等離子體表面的清洗活化主要是利用等離子體中的高活性、高能和紫外線(xiàn)作用于高分子材料表面，形成表面。物理或化學(xué)變化。等離子體改變了反應，可能只會(huì )引起材料表面的物理變化。高能粒子與材料表面碰撞，在材料表面產(chǎn)生不均勻的斑點(diǎn)，改變粗糙度，并將能量傳遞給表面基團使其活化，從而產(chǎn)生表面能變化。

2、對材料表面的刻蝕作用--物理作用 等離子體中的大量離子、激發(fā)態(tài)分子、自由基等多種活性粒子，作用到固體樣品表面，不但清(除)了表面原有的污染物和雜質(zhì)，而且會(huì )產(chǎn)生刻蝕作用，將樣品表面變粗糙，形成許多微細坑洼，增大了樣品的比表面。提高固體表面的潤濕性能。

（二）要想確保等離子表面處理設備可以正常啟動(dòng)運行，需要將等離子體的點(diǎn)火裝置保護好，否則將無(wú)法正常啟動(dòng)設備。（三）對于首次啟動(dòng)或操作該設備時(shí)，要做好啟動(dòng)前的準備工作，對設備使用需要熟悉，或對相關(guān)人員進(jìn)行培訓學(xué)習，確保操作人員能?chē)栏駡绦懈黜棽僮髁鞒?。（四）等離子體的發(fā)生器運行時(shí)間不能超過(guò)使用手冊上規格的時(shí)間范圍，做好設備風(fēng)管通風(fēng)工作，否剛會(huì )地設備的燃燒器造成燒壞帶來(lái)?yè)p失。

具體過(guò)程為：線(xiàn)體從左到右；產(chǎn)品從與上工位的接頭流入，通過(guò)輸送鏈輸送到機器人下端；產(chǎn)品受阻后，輸送拖鏈停止輸送；定位缸推動(dòng)產(chǎn)品定位；輸送線(xiàn)PLC將完成的定位信號輸出給機器人。接收定位信號后，通過(guò)橢圓平面軌跡運行并完成產(chǎn)品的表面處理。當軌跡信號傳送到傳輸線(xiàn)的PLC時(shí)，傳輸線(xiàn)再次運行。產(chǎn)品由X軸Y軸電機自動(dòng)驅動(dòng)，被送到下一個(gè)基片等離子體清洗現場(chǎng)。

粗糙度影響金屬表面附著(zhù)力

適用于復合材料表面接合的介質(zhì)阻擋放電等離子處理技術(shù)。介質(zhì)電阻放電可在常溫常壓下穩定進(jìn)行，粗糙度影響金屬表面附著(zhù)力產(chǎn)生連續等離子源，放電裝置成本合理，保證了其工業(yè)應用的成本和連續性。然后介電電阻放電可以通過(guò)。反應性氣體（如氧氣）產(chǎn)生的顆?？梢约せ睿ɑ罨秃喜牧系谋砻?。這允許表面提高足夠的粘合強度。