置于腔室中的基板表面一般具有羥基或氫端反應活性位點(diǎn)，端子等離子表面處理機基板表面銅前驅體的飽和化學(xué)吸附量如下?；顒?dòng)站點(diǎn)的內容和密度密切相關(guān)。隨著(zhù)沉積循環(huán)次數的增加，基板表面的粗糙度緩慢增加，在實(shí)驗開(kāi)始時(shí)基板表面出現沉積，表明在初始生長(cháng)階段沒(méi)有生長(cháng)延遲，但在 10 內沉積是連續的循環(huán)，沒(méi)有得到銅膜。

7、載荷應力：作用在實(shí)際接頭上的應力比較復雜，端子等離子表面處理機如剪應力、剝離應力、交變應力等。 (1)剪應力：由于偏心拉力的影響，接頭端部出現應力集中。除剪切力外，還有與界面方向相匹配的拉力和垂直于界面方向的撕裂力。此時(shí)，由于剪切應力的作用，接頭的強度隨著(zhù)被粘物厚度的增加而增加。 (2)剝離應力：當被粘物為軟質(zhì)材料時(shí)，會(huì )產(chǎn)生剝離應力。此時(shí)，拉應力和剪應力作用在界面上，受力集中在膠粘劑與被粘物的界面上，容易損壞接頭。

隨著(zhù)微電子器件的小原子層沉積（ALD）技術(shù)的快速發(fā)展，端子等離子表面處理機該技術(shù)對于高縱橫比的溝槽和具有復雜三維結構的表面具有出色的臺階覆蓋率。更重要的是，它是基于前體表面的。限制自化學(xué)吸附反應，ALD可以通過(guò)控制循環(huán)次數來(lái)精確控制薄膜厚度。在A(yíng)LD工藝中，沉積材料的前體和反應的前體交替進(jìn)入反應室。在此期間，未反應的前體被惰性氣體吹掃，使反應氣體交替進(jìn)入自限沉積模式。近年來(lái)，許多研究人員使用原子層沉積技術(shù)沉積銅薄膜。

CH4 + E * & MDASH;> CH3 + H + E (3-1) CH3 + E * & MDASH;> CH2 + H + E (3-2) CH2 + E * & MDASH;> CH + H + E (3-3) CH + E * & MDASH;> C + H + E (3-4) CH4 + E * & MDASH;> CH2 + 2H (H2) + E (3-5) CH4 + E * & MDASH;> CH + 3H (H2 + H) + E (3-6) CH4 + E * & MDASH; C + 4H (2H2) + E (3-7) 自由基和下一個(gè)產(chǎn)品 A 之間的耦合發(fā)生反應。

端子等離子表面改性

官能團的極性增加。

端子等離子表面改性