可以通過(guò)調整基材的配方或表面處理來(lái)調整溶液和基材的表面張力。兩種表面張力測量也應作為質(zhì)量控制測試項目。這是因為鍍膜工藝對基材的表面張力有更高的要求，等離子體在半導體方面的應用等離子清洗可以有效解決這個(gè)問(wèn)題。鋁箔的金屬表面常含有（有機）物質(zhì)，如油脂、油漬和氧化層。在濺射、涂漆、膠合、焊接、釬焊、PVD 和 CVD 涂層之前，必須對其進(jìn)行清潔，以制成（全部）清潔、無(wú)氧化物的表面。

等離子體的作用機制不同。超聲波等離子體產(chǎn)生的反應是物理反應，等離子體在半導體方面的應用高頻等離子體產(chǎn)生的反應既是物理反應又是化學(xué)反應，微波等離子體產(chǎn)生的反應是化學(xué)反應。但由于40KHz是早期技術(shù)，射頻匹配后的能耗太高，實(shí)際作用于待清潔物體的能量還不到原始能量的1/3。因此，13.56MHz射頻等離子清洗主要用于實(shí)際應用。這個(gè)頻率也是世界上最受歡迎和最昂貴的頻率。

兆赫茲或 20 兆赫茲。等離子清洗。 40KHz等離子在能量轉換方面優(yōu)于13.56MHz。前者將更多的能量轉化為粒子的動(dòng)能和化學(xué)活性，等離子體去膠和丙酮去膠后者在等離子體處理過(guò)程中產(chǎn)生更多的熱量。換言之，大量的能量轉化為熱能。顆粒的動(dòng)能和化學(xué)活性降低。如果治療效果不足，則需要添加特殊氣體或延長(cháng)治療時(shí)間。我們的設備在空氣處理中往往能達到許多其他同類(lèi)設備無(wú)法達到的效果。

13.56MHz 等離子體的電場(chǎng)頻率振蕩較高，等離子體在半導體方面的應用電子在轉向前的行進(jìn)距離比 40KHz 射頻等離子體短。這意味著(zhù)在每個(gè)運動(dòng)周期中可以到達設備表面的粒子更少。結果，表面不易受到顆粒的影響，降低了清潔的效率和有效性，并直接影響產(chǎn)品質(zhì)量和產(chǎn)量。 40KHz射頻等離子體是半導體、微電子、醫學(xué)和一般工業(yè)等廣泛領(lǐng)域中使用最廣泛、用途最廣泛的等離子體技術(shù)。

等離子體去膠和丙酮去膠

在一般工業(yè)、半導體、微電子和醫療行業(yè)中，需要清洗、涂層或化學(xué)改性的材料表面都沉浸在射頻等離子體的能量環(huán)境中，除了射頻等離子體在 40 KHz. 增加。一旦顆粒到達材料表面，它們可以物理去除化學(xué)惰性的表面沉積物（如金屬氧化物和其他無(wú)機沉積物）和交聯(lián)聚合物進(jìn)行清潔和活化。

等離子清洗劑利用這些活性成分的特性對樣品表面進(jìn)行處理，達到清洗、鍍膜等目的。這對于產(chǎn)品粘合、噴涂、印刷和密封目的很有用。等離子體是指部分或完全電離的氣體，其中自由電子和離子所攜帶的正負電荷之和完全抵消，表示宏觀(guān)上呈中性電荷。等離子體又稱(chēng)等離子體，是一種類(lèi)似電離氣體的物質(zhì)，由被剝奪了部分電子的原子和原子電離后產(chǎn)生的正負電子組成。氣體外是物質(zhì)存在的第四種狀態(tài)。

這對于許多材料來(lái)說(shuō)非常重要。 。等離子去膠劑在材料蝕刻過(guò)程中的選擇性和方向 當高能粒子撞擊表面時(shí)，等離子去膠劑的強化蝕刻會(huì )導致表面出現缺陷、位錯或懸浮物。 這些缺陷增加了表面化學(xué)反應蝕刻的速率，使得這種等離子粘合劑去除劑的蝕刻過(guò)程具有選擇性和方向性。在這些等離子粘合劑去除劑的清潔過(guò)程中，碳氫化合物和基材之間的結合被削弱，由此產(chǎn)生的能量將這些有機化合物與基材分離。

化學(xué)鍍鎳/浸金在 1990 年代被廣泛用于熱風(fēng)整平的平整度問(wèn)題和有機涂層助焊劑的去除。雖然dip/dip工藝的應用有所減少，但幾乎所有高科技PCB廠(chǎng)都有化學(xué)鍍。鎳/沉金線(xiàn)?？紤]到去除銅錫金屬間化合物時(shí)焊點(diǎn)的脆性，較脆的鎳錫金屬間化合物存在很多問(wèn)題。

等離子體在半導體方面的應用

通過(guò)使用IC板和HDI，等離子體去膠和丙酮去膠減少了淡季的影響，產(chǎn)能非常緊張，因此保持了較高的開(kāi)工率。在2021年全面開(kāi)工、供大于求的大趨勢下，工業(yè)安全將是一大挑戰。此外，生產(chǎn)線(xiàn)的高利用率意味著(zhù)所需的人員數量將會(huì )增加。事實(shí)上，對于PCB和IC板廠(chǎng)的一些高端應用來(lái)說(shuō)，制造工藝復雜，沒(méi)有辦法實(shí)現全自動(dòng)化。

Bardeen 和 Bratton 的研究結果于 1948 年 6 月發(fā)表。點(diǎn)接觸晶體管的發(fā)明拉開(kāi)了晶體管大發(fā)展的序幕，等離子體去膠和丙酮去膠但由于其結構復雜、性能差、體積大、制造難度大，在工業(yè)上得到了廣泛的應用。一個(gè)反應靈敏的社會(huì )。 1948年1月，肖克利根據自己對pn結理論的研究，發(fā)明了另一種表面結晶體管，并于1948年6月獲得證書(shū)。