自旋轉移矩磁存儲器的制造也是通過(guò)在標準CMOS邏輯電路的后端金屬結層中央嵌入存儲單元（磁隧道結），ICP等離子清洗儀并集成自旋轉移矩磁隧道結的邏輯來(lái)實(shí)現的。 從后端電路和磁性隧道結的粗略工藝可以看出，磁性隧道結的蝕刻對于器件性能非常重要。目前使用的蝕刻技術(shù)包括等離子清潔器離子束蝕刻（ion beametching，IBE）、等離子清潔器電感耦合等離子蝕刻（ICP）、等離子清潔器反應離子蝕刻（RIE）等系統。

由于鉭 (Ta) 的選擇性非常高，ICP等離子清洗儀因此可以通過(guò)足夠的過(guò)蝕刻來(lái)實(shí)現相對筆直的蝕刻形狀。 Ar / Cl 等離子體的大磁滯回線(xiàn)偏移是由于下面的釘扎層造成的。嚴重的腐蝕和比 Ar ICP 更小的 CH3OH 磁滯回線(xiàn)位移也表明在 CH3OH 等離子清潔器等離子蝕刻中存在化學(xué)反應。通過(guò)這種化學(xué)反應形成的含碳薄膜層吸收入射離子能量，從而降低等離子體損傷（PID）。

研究進(jìn)展表明，ICP等離子清洗機器通過(guò)優(yōu)化 CH3OH/Ar 比，可以改善由反應離子刻蝕引起的材料不可避免的磁劣化所導致的磁阻劣化問(wèn)題。除了氣體選擇優(yōu)化之外，脈沖功率技術(shù)的引入進(jìn)一步改善了對磁性隧道結刻蝕形狀的控制。除了各有優(yōu)缺點(diǎn)的 IBE 和 ICP 外，中性粒子束蝕刻 (NBE) 也是一個(gè)重要的候選技術(shù)。

一舉打破了以往同類(lèi)產(chǎn)品完全依賴(lài)美國、日本、德國等國家和臺灣進(jìn)口的局面。優(yōu)質(zhì)、高性?xún)r(jià)比的設備和高效的售后服務(wù)，ICP等離子清洗儀得到國內LED及IC封裝廠(chǎng)商的一致好評和認可。市場(chǎng)占有率在同行業(yè)中排名第一。它主要利用無(wú)線(xiàn)電波范圍內的高頻產(chǎn)生的等離子體，滲透到微小的孔洞和凹入的物體中，無(wú)論物體或物體的形狀如何，都能完成清潔工作。與其他表面相比，同類(lèi)處理設備對等離子清洗機的清洗效果更高，提高了整條工藝線(xiàn)的處理效率。

ICP等離子清洗機器

顆粒比鐵鉻熔體小，在熔池的攪動(dòng)下更容易上浮和聚集，鍍層表面附近的TiC顆粒較多；鍍層較低區域的TiC顆粒較少。在等離子清潔裝置的等離子處理過(guò)程中快速加熱和冷卻會(huì )在涂層上產(chǎn)生高熱應力并導致涂層出現裂紋。鐵鉻C-Ti涂層表面比較粗糙，但沒(méi)有裂紋。這是因為在鐵鉻C涂層的碳化復合成分中加入Ti，發(fā)生Ti+C<→TiC反應，現場(chǎng)合成TiC顆粒。 TiC形成的溫度高于初始碳化物析出溫度。

因此，這些分散的TiC顆?？梢允怯糜谔峒冦t的一次碳化物或用于去除鉻的一次碳化物。改善 C3 一次碳化物（鉻、鐵）和 C3 共晶結構會(huì )增加許多奧氏體結構。奧氏體在高溫和常溫下具有優(yōu)異的強度和韌性，可以增加涂層的耐磨性。該相提供了強有力的支持，C3 共晶結構增加了許多奧氏體結構。

因此，大量TiC顆粒的合成和奧氏體（CrFe）、C3（C3）、（鉻、鐵）的形成，以及C3共晶組織的改善，有效地提高了涂層的韌性，從而提高了涂層的韌性。抑制生成。裂縫。零件在摩擦作用下的磨損量一般與接觸應力、相對速度、潤滑條件和摩擦副材料有關(guān)，而材料的耐磨性則與材料的硬度和顯微組織有關(guān)。因此，提高涂層的表面硬度是提高材料性能的重要途徑。

3. 表面蝕刻液 材料表面被反應氣體等離子體選擇性蝕刻，蝕刻后的材料轉化為氣相并由真空泵排出。處理后材料的微觀(guān)比表面積增大，親水性好。 4、納米涂層溶液經(jīng)等離子清洗劑處理后，通過(guò)等離子體引導聚合形成納米涂層。各種材料可以通過(guò)表面涂層制成疏水（hydrophobic）、親水（hydrophilic）、疏油（耐油）和疏油（耐油）。 5. PBC制造方案 這實(shí)際上涉及到等離子刻蝕的過(guò)程。

ICP等離子清洗儀

等離子清洗機/等離子處理器/等離子處理設備廣泛應用于等離子清洗、等離子蝕刻、等離子脫膠、等離子涂層、等離子灰化、等離子處理、等離子表面處理等。通過(guò)等離子清洗機的表面處理，ICP等離子清洗機器可以提高材料表面的潤濕性，可以對各種材料進(jìn)行涂鍍，提高附著(zhù)力和附著(zhù)力，去除有機污染物和油污。同時(shí)潤滑。車(chē)身清潔劑、蝕刻表面改性劑、等離子清潔劑和增強型耦合等離子清潔劑表面清潔 IC 可以顯著(zhù)提高鍵合線(xiàn)的鍵合強度并降低電路故障的可能性。