GaCl3 和 AsCl3 都是高度揮發(fā)性的,PFCplasma刻蝕機但 AlCl3 的揮發(fā)性較低,會(huì )影響進(jìn)一步的蝕刻。氟的用量會(huì )影響 InAIA 的蝕刻速率。增加含氟氣體的流速會(huì )顯著(zhù)改變銦鋁砷和銦鎵砷的選擇性。使用 CHF3 和 BCl3 氣體的組合,或 CF4 和 BCl3 的選擇性,增加了一倍以上。壓力和高頻功率對兩種氣體組合蝕刻速率的影響:壓力越高,蝕刻速率越低。

PFCplasma刻蝕機

根據等離子的產(chǎn)生機理,PFCplasma刻蝕機等離子清洗方式主要有直流等離子清洗、高頻等離子清洗、微波等離子清洗三種,在實(shí)際應用中必須根據具體情況進(jìn)行選擇和使用。 等離子清洗法的優(yōu)點(diǎn)是采用等離子清洗,不污染環(huán)境,不需要清洗液,清洗效果好,清洗效率高。它還可以激活物體的表面并增加表面。提高潤濕性和附著(zhù)力。加強。

在大型集成電路和分立器件行業(yè),PFCplasma刻蝕機等離子清洗技術(shù)常用在以下幾個(gè)重要步驟: 1.用氧等離子體處理剝離和硅晶片以去除光刻膠?;旌想娐锋I合前的等離子清洗; 4. 5、粘接前等離子清洗; 6. 金屬化陶瓷管封蓋前等離子清洗;等離子清洗技術(shù)設備的可控性和重現性體現在設備使用中具有經(jīng)濟、環(huán)保、高效、可靠性高、操作方便等優(yōu)點(diǎn)。

對于高檔藥盒、化妝品盒等產(chǎn)品,PFCplasma刻蝕機去除涂層的地方,只有UV涂層和少量的紙面涂層,一般廠(chǎng)家用普通膠水不容易貼上盒子,所以盒子的附著(zhù)力不會(huì )太低。貼合和開(kāi)膠條件比UV產(chǎn)品好,但貼合謀生的方法不能用于小盒產(chǎn)品,造成切割線(xiàn)工藝問(wèn)題,成本會(huì )更高。刀。

PFCplasma表面處理機器

PFCplasma表面處理機器

這是新的歐盟政策標準對 GaN 半導體產(chǎn)品在消費市場(chǎng)上的成功與電源適配器和音頻、電動(dòng)汽車(chē)設計實(shí)驗室中 GaN 技術(shù)的更新和重啟以及數據中心的能源效率的結果。 GaN 技術(shù)可以有效地解決將功率密度預期與產(chǎn)品可靠性相結合的關(guān)鍵行業(yè)成就。到 2021 年,GaN 技術(shù)將進(jìn)一步展示其在汽車(chē)、數據中心和消費電子產(chǎn)品等各種電力依賴(lài)市場(chǎng)中從早期采用到堅固支架的成功過(guò)渡。

PFCplasma刻蝕機

PFCplasma刻蝕機