C2H4和CH4收率隨著(zhù)等離子注入量的增加呈小幅上升趨勢，CCP刻蝕設備反應臺可能與C2H4和CH4是該反應的主要反應產(chǎn)物，C2H2更穩定、有性有關(guān)。表3-1 CC和CH化學(xué)鍵的部分解離能化學(xué)鍵解離能/(kJ/mol)解離能/(eV/mol) CH3-CH3367.83.8C2H5-H409.64.2CH2 = CH2681.37.1C2H3-H434。

根據高（3-26）能電子的能量，CCP刻蝕設備反應臺碰撞導致乙烷分子的動(dòng)能或內能增加，后者裂解乙烷的 CH 和 CO 鍵以產(chǎn)生各種自由基。 C2H6+ e * → C2H5 + H + e (3-27) C2H6 + e * → 2CH3 + e (3-28) 表3-1中的化學(xué)鍵解離能數據顯示反應式（3-28）（CC鍵） . (Cut) 比方程 (3-27) (CH 鍵斷裂) 更容易。

當等離子體能量密度為860 kJ/mol時(shí)，CCP刻蝕設備原理C2H6的轉化率為23.2%，C2H4和C2H2的總收率為11.6%。在流動(dòng)等離子體反應器中，一般認為當反應氣體的流量恒定時(shí)，系統中的高能電子密度及其平均能量主要由等離子體能量密度決定。等離子體功率增加，系統中高能電子密度及其平均能量增加，高能電子與C2H6分子之間的彈性和非彈性碰撞概率和傳遞能量增加，C2H6 CH和CC鍵會(huì )增加。

由于空氣污染和酸化，CCP刻蝕機器生態(tài)環(huán)境遭到破壞，大規模災害頻發(fā)，人類(lèi)損失慘重。因此，選擇經(jīng)濟可行的解決方案勢在必行。傳統的吸附、吸附、冷凝、燃燒等分解揮發(fā)性有機污染物（VOCs）的處理方法等低溫等離子技術(shù)在氣態(tài)污染物治理方面具有顯著(zhù)優(yōu)勢。其基本原理是在電場(chǎng)的加速作用下產(chǎn)生高能電子。當電子的平均能量超過(guò)目標物質(zhì)分子的化學(xué)鍵能時(shí)，分子鍵斷裂，達到去除的目的。氣態(tài)污染物。傳統意義上的等離子體是具有大量電離的中性氣體。

CCP刻蝕設備反應臺

缺點(diǎn)是所有聚合物都是易燃的并且在用火焰處理時(shí)具有低熔點(diǎn)。當有機物暴露在高溫火焰中時(shí)，高溫處理會(huì )導致變形、變色、表面粗糙、燃燒和產(chǎn)生有毒氣體。并且很難掌握加工技術(shù)。等離子處理是 3D 物體表面修飾的最佳解決方案。原理如圖1所示。當在電極上施加交流高頻和高壓時(shí)，兩個(gè)電極之間的空氣會(huì )產(chǎn)生氣體電弧放電以形成等離子體區域。等離子體在氣流的沖擊下到達被加工物體的表面，達到修飾3D表面的目的。

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與傳統平面晶體管相比，FinFET具有三維結構，極大地擴大了柵極的控制面積，顯著(zhù)縮短了晶體管的柵極長(cháng)度，降低了漏電流。渠道效應。英特爾于 2011 年推出商用 FINFET，采用 22NM 節點(diǎn)工藝。 2014年底，三星實(shí)現了14NM FINFET工藝的量產(chǎn)，為未來(lái)的移動(dòng)通信設備提供快速、節能的處理器。緊隨其后的是臺積電，2015 年推出了增強型 16 NMF INFET +。

表面層去污、活化和涂層處理是很有前景的環(huán)保金屬表面改性處理技術(shù)。一、等離子處理設備的特點(diǎn) 1、環(huán)保技術(shù)：等離子離子處理設備的工作過(guò)程是氣氣相干反應不消耗水資源，不添加化學(xué)物質(zhì)，不污染環(huán)境。 2、適用性廣：無(wú)論被加工物的種類(lèi)如何，都能很好地加工復合材料、半導體材料、金屬氧化物和大部分高分子材料。 3、低溫：接近常溫，特別適用于高分子材料，比電暈法或火焰法儲存時(shí)間長(cháng)，表面張力高。

CCP刻蝕設備原理

等離子體表面處理設備的一個(gè)重要機理是通過(guò)激發(fā)等離子體中的活性粒子來(lái)去除物體表面的污垢。等離子清洗機工藝的主要特點(diǎn)是能夠處理金屬、半導體材料、氧化性物質(zhì)和大多數聚合物材料，CCP刻蝕設備原理如聚丙烯、聚酯、聚酰亞胺、PVC、環(huán)氧樹(shù)脂粘合劑甚至聚四氟乙烯?？赡艿?。隨著(zhù)科學(xué)技術(shù)的飛速發(fā)展，等離子表面處理設備的作用也得到了廣泛的發(fā)展。海浪。計算機在電子行業(yè)的發(fā)展也非常迅速。

當工件表面的污染物吸收激光的能量時(shí)，CCP刻蝕設備反應臺它們被加熱，然后迅速汽化或膨脹，以克服污染物與基板表面之間的作用力。由于熱能的增加，污染物會(huì )振動(dòng)并從基板表面脫落。圖1 激光清洗示意圖 整個(gè)激光清洗過(guò)程大致分為四個(gè)階段：激光氣化分解、激光剝離、污染物顆粒熱膨脹、基板表面振動(dòng)和污染物剝落。當然，在應用激光清洗技術(shù)時(shí)，還應注意被清洗物體的激光清洗閾值，選擇合適的激光波長(cháng)，以達到最佳的清洗效果。