在等離子體系統中，pdc-mg等離子蝕刻設備許多類(lèi)型的活性粒子會(huì )引起許多反應，因此在反應過(guò)程中幾乎不可能操縱特別重要和決定性的粒子。在等離子體環(huán)境中，高能粒子可以破壞分子中的共價(jià)鍵。高能電子參與電子能量分布函數的尾部以及非平衡等離子體中存在的強局部電場(chǎng)可能完成新的化學(xué)反應。 等離子體環(huán)境適用于許多化學(xué)反應。產(chǎn)生特定反應的能力主要取決于輸入過(guò)程參數，例如氣體類(lèi)型、流速、壓力和輸入功率。邊界和基地之間也有各種影響。

，pdc-mg等離子清洗設備而其他的都是基于當前駕駛理論的1/E模型。 E 模型也稱(chēng)為熱化學(xué)模型。該模型表明，TDDB在低電場(chǎng)強度和高溫下發(fā)生的原因是電場(chǎng)促進(jìn)了電介質(zhì)原子鍵的熱擊穿，外加電場(chǎng)可以延長(cháng)極性分子鍵并使其在熱過(guò)程。會(huì )更高。電場(chǎng)的存在降低了破壞分子鍵所需的能量，因此降解速率隨電場(chǎng)呈指數增加。如果斷裂鍵或滲透點(diǎn)的局部密度足夠高，則形成從陽(yáng)極到陰極的導電通路，此時(shí)發(fā)生失效，對應的時(shí)間就是失效時(shí)間。

此類(lèi)間隔物也稱(chēng)為氮化硅間隔物或氮化硅/氮化硅（氧化物SIN，pdc-mg等離子清洗設備ON）間隔物。 0.18M時(shí)代，這個(gè)氮化硅側壁的應力太高了。如果它很大，飽和電流會(huì )降低，泄漏會(huì )增加。為了降低應力，需要將沉積溫度提高到700℃，這增加了量產(chǎn)的熱成本，也增加了泄漏。所以在0.18M時(shí)代，選擇了ONO的側墻。

在防止脫膠方面，pdc-mg等離子清洗設備熱熔膠和其他優(yōu)質(zhì)粘合劑可以防止一定程度的脫膠。先不說(shuō)成本高，一旦脫膠，就有投訴和退貨的問(wèn)題。離子裝置發(fā)射的等離子體中粒子的能量一般在幾到幾十個(gè)電子伏特左右，大于高分子材料的結合能（幾到10個(gè)電子伏特），這是一種有機聚合物。新加入。但它遠低于高能放射線(xiàn)，只包含材料表面，無(wú)磨損，不影響基體性能。

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表 4-2 堿土金屬氧化物催化劑對反應的影響（單位：%） . 315.734 .4SrO / Y-Al2O324.619.366.216.334.2BaOr / Y-Al2O326.419.463.316.735.6 BaO負載量和催化劑燒成溫度對負載為5%時(shí)負載型堿金屬氧化物催化劑的催化活性是恒定的。 . BaO 負載增加，CH4 和 CO2 的轉化率出現峰形變化，在負載 10% 時(shí)達到峰值。

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