一般來(lái)說(shuō)，附著(zhù)力劃格實(shí)驗1級物質(zhì)以固態(tài)、工業(yè)和氣態(tài)存在，但在特殊情況下，它以第四種情況存在，例如太陽(yáng)表面的物質(zhì)或地球大氣層的電離層。這種物質(zhì)存在的狀態(tài)稱(chēng)為等離子體狀態(tài)，也稱(chēng)為第四物質(zhì)狀態(tài)。血漿中含有以下物質(zhì)。

氬氦性質(zhì)穩定，測附著(zhù)力劃格法和拉拔法放電電壓低（氬原子的電離能E為15.57EV），易形成半穩定原子的物體，被AR+沖擊的污垢被真空. 彌補揮發(fā)性污漬 避免表面材料與泵的反應。另一方面，當使用氬氣時(shí)，容易形成半穩定原子，當它們與氧或氫分子碰撞時(shí)，會(huì )發(fā)生電荷轉換和再生。當鍵合時(shí)，會(huì )產(chǎn)生一個(gè)活性氧原子。氫氣作用于物體表面。

以智能手機為例，附著(zhù)力劃格實(shí)驗1級在5G出現之前，全球智能手機行業(yè)經(jīng)過(guò)多年發(fā)展已經(jīng)飽和。 2016年出貨量達到14.7億后，出貨量開(kāi)始逐漸下滑。隨著(zhù)5G商用在即，智能手機行業(yè)將迎來(lái)一波“5G替代品”浪潮。根據 IDC 數據，2020 年全球智能手機出貨量預計將增長(cháng) 1.6%。與此同時(shí)，全球5G智能手機出貨量達到1.235億部，占智能手機總出貨量的8.9%。 % 將上升至 28.1%。到 2023 年。

在真空狀態(tài)下，附著(zhù)力劃格實(shí)驗1級氣體往往是擴散的，難以形成對流;真空等離子體清洗機室的熱量是由真空泵輸送的走路也相對有限。改進(jìn)措施:增加(大)進(jìn)氣口或增加抽氣速度，但要考慮真空放電和等離子體處理效果。在其他方面，等離子體發(fā)生器的選擇、功率尺寸的設置、真空室的尺寸以及電極結構的設計也有利于散熱的改善。。

測附著(zhù)力劃格法和拉拔法

● 反應產(chǎn)物與被蝕刻材料表面分離，并由真空系統抽出空腔。在平行電極等離子體反應室中，被蝕刻的物體被放置在電極的較小面積上。在這種情況下，在等離子體和電極之間形成直流偏壓，使傳送帶為正。電反應氣體離子加速對被蝕刻材料表面的沖擊。這種離子影響顯著(zhù)加速了反應產(chǎn)物的表面化學(xué)和解吸，從而導致高蝕刻速率。這正是由于離子的存在。這是可以實(shí)現各向異性蝕刻的影響。

測附著(zhù)力劃格法和拉拔法