此類(lèi)間隔物也稱(chēng)為氮化硅間隔物或氮化硅/氮化硅（氧化物SIN，半導體等離子體去膠ON）間隔物。 0.18M時(shí)代，這個(gè)氮化硅側壁的應力太高了。如果它很大，飽和電流會(huì )降低，泄漏會(huì )增加。為了降低應力，需要將沉積溫度提高到700℃，這增加了量產(chǎn)的熱成本，也增加了泄漏。所以在0.18M時(shí)代，選擇了ONO的側墻。

殺菌、消毒、保健促進(jìn)傷口愈合、治療皮膚潰瘍、殺死癌細胞、有效消除皮膚皺紋、淡化痤瘡疤痕……近年來(lái)，半導體等離子體去膠機器低溫等離子技術(shù)在生物醫學(xué)領(lǐng)域顯示出巨大的應用前景和效益，是被廣泛接受。專(zhuān)注于它。其中，低溫等離子無(wú)菌是生物醫學(xué)研究的熱點(diǎn)?，F在許多研究顯示了在傷口消毒、醫療器械消毒、產(chǎn)品安全和食品安全領(lǐng)域廣泛的滅菌應用前景。

每次放置一段時(shí)間，半導體等離子體去膠都需要注意清潔灰塵，注意防潮，防止灰塵成為靜電的“隱形殺手”。 2. 摩擦屏幕時(shí)要小心。靜電在屏幕上是不可避免的，并且經(jīng)常清潔屏幕。如果清潔不當，會(huì )損壞屏幕，影響畫(huà)質(zhì)效果。首先，不要經(jīng)常摩擦屏幕。建議使用特殊的屏幕摩擦材料或柔軟的棉布。另外，不要用化學(xué)物質(zhì)擦拭?；瘜W(xué)品的使用會(huì )破壞屏幕表面的氧化保護膜，增強屏幕的功效。此外，水也不是很好的清潔劑，因為它會(huì )在屏幕上留下水印。

1938年，半導體等離子體去膠蘇聯(lián)的AA Vlasov提出了Vlasov方程，這是一個(gè)丟棄了碰撞項的無(wú)碰撞方程。朗道碰撞積分和弗拉索夫方程被提出，標志著(zhù)動(dòng)力學(xué)理論的開(kāi)端。1942年，瑞典的H.Alvin指出，當理想的導電流體處于磁場(chǎng)中時(shí)，會(huì )產(chǎn)生沿磁力線(xiàn)傳播的橫波（即Alvin波）。 1942 年，印度的 S. Chandrasekhar 提出使用暫定粒子模型來(lái)研究緩解過(guò)程。

半導體等離子體去膠

等離子體振蕩是等離子體中的電子在慣性和離子的靜電力作用下的簡(jiǎn)單振動(dòng)。離子，也稱(chēng)為等離子體，被認為是物質(zhì)的第四種形式，或“超級氣體”。簡(jiǎn)單地說(shuō)，它是一種電離的“氣體”，由完全電中性的離子、電子和非電離的中性粒子組成。等離子體不必完全（完全）由離子組成。等離子體屬于非凝聚態(tài)，構成等離子體的粒子之間的解離程度比較高，粒子之間的相互作用不強。凝聚態(tài)是大量粒子凝聚在一起的狀態(tài)，液體和固體是很常見(jiàn)的凝聚態(tài)。

半導體等離子體去膠